[發明專利]一種抗電勢誘導衰減的背面膜層結構、制備方法、用途及太陽能電池

有效

• 申請號: 201910588502.3
• 申請日: 2019-07-02
• 公開（公告）號: CN110444609B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 姜澤光;張欣;林綱正
• 申請（專利權）人: 天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 高文龍

1.一種抗電勢誘導衰減的背面膜層結構，包括自下而上依次貼附在硅基體(1)上的氧化鋁鈍化層(2)和氮化硅層(4)，其特征在于：所述背面膜層結構還包括碳氮化硅層(3)，所述碳氮化硅層(3)設置在所述氧化鋁鈍化層(2)和氮化硅層(4)之間，所述碳氮化硅層(3)通過如下工藝制備：沉積溫度350-450℃，沉積功率4000-9000W，沉積壓力1300-1800mTor，沉積占空比2:30-2:60，沉積時間40-220s，氨氣流量1000-7000sccm，硅烷流量500-2000sccm，甲烷流量2000-8500sccm；所述背面膜層結構增設有具有抗氧化、抗水汽性能的碳氮化硅層(3)，從而增強了抗電勢誘導衰減效果。

2.根據權利要求1所述的抗電勢誘導衰減的背面膜層結構，其特征在于：所述碳氮化硅層(3)的膜層厚度為10-40nm。

3.根據權利要求1所述的抗電勢誘導衰減的背面膜層結構，其特征在于：所述碳氮化硅層(3)的折射率為1.91-2.09。

4.如權利要求1至3任一項所述的抗電勢誘導衰減的背面膜層結構的制備方法，其特征在于：該方法包括在硅基體(1)上自下而上依次貼附氧化鋁鈍化層(2)、碳氮化硅層(3)和氮化硅層(4)，或者在硅基體(1)上自下而上依次貼附氧化鋁鈍化層(2)、氮化硅層(4)和碳氮化硅層(3)。

5.如權利要求1至3任一項所述的抗電勢誘導衰減的背面膜層結構的用途，應用在太陽能電池中。

6.包含權利要求1至3任一項所述的抗電勢誘導衰減的背面膜層結構的太陽能電池，其特征在于：所述太陽能電池還包括正面氮化硅層、正電極和背電極。