[發明專利]晶片的分割方法有效
| 申請號: | 201910588315.5 | 申請日: | 2019-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN110783184B | 公開(公告)日: | 2023-09-26 |
| 發明(設計)人: | 清水芳昭;中村勝 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 分割 方法 | ||
1.一種晶片的分割方法,該晶片在正面的由分割預定線呈格子狀劃分的區域內形成有用于進行光數據通信的光通信器件,該光通信器件具有供光通過的直線狀的光波導,該晶片的分割方法對該晶片照射對于該晶片具有透過性的波長的激光光線,將使該激光光線會聚而得的聚光點定位于該晶片的內部,利用該聚光點來形成改質層,以該改質層為起點而沿著該分割預定線將該晶片分割成各個光通信芯片,其中,
該分割預定線包含:
第一分割預定線,其與該光波導的延伸方向平行;以及
第二分割預定線,其與該光波導的延伸方向垂直,
該晶片的分割方法具有如下的工序:
帶粘貼工序,在該晶片的整個背面上粘貼粘接帶;
保持工序,利用保持工作臺的保持面隔著該粘接帶對該晶片進行保持;
第一改質層形成工序,沿著該第一分割預定線形成直線狀的第一改質層;
第二改質層形成工序,在該晶片的靠近背面的深度位置,沿著該第二分割預定線形成直線狀的第二改質層;
第三改質層形成工序,在該晶片的靠近正面的深度位置,沿著該第二分割預定線形成斷續線狀的第三改質層,該第三改質層未形成在與該光波導相關的部分;以及
分割工序,對該第一改質層、該第二改質層以及該第三改質層賦予外力而以各改質層為起點對該晶片進行分割,從而獲得光通信芯片,該光波導的端面在該光通信芯片的四個側面中的一個面露出。
2.根據權利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
在該帶粘貼工序中,在具有對該晶片進行收納的開口的環狀框架上按照封住該開口的方式粘貼該粘接帶,并將該晶片粘貼在該開口的該粘接帶上,從而形成該環狀框架借助該粘接帶而對該晶片進行支承的工件組,
在該分割工序中,使粘貼在該晶片上的該粘接帶在該晶片的徑向上擴展,從而對該第一改質層、該第二改質層以及該第三改質層賦予外力而對該晶片進行分割。
3.根據權利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
在該晶片的該正面上粘貼有對該正面進行保護的保護帶,
在該保持工序中,與吸引源連通的該保持面對該保護帶進行保持,并隔著該保護帶而對該晶片進行保持,
在該第一改質層形成工序、該第二改質層形成工序以及該第三改質層形成工序中,從該粘接帶側對該晶片照射該激光光線,利用透過該粘接帶而被定位于該晶片的內部的該激光光線的該聚光點來形成該改質層,在該第三改質層形成工序之后實施該第二改質層形成工序,
該晶片的分割方法還具有如下的工序:
翻轉工序,在該分割工序之前,使該晶片的正背面翻轉而使該晶片的該正面向上;以及
剝離工序,將該保護帶剝離。
4.根據權利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
在該保持工序中,將多孔質片載置于對該晶片進行保持的該保持工作臺的該保持面上,使該保持面與吸引源連通,使吸引力通過該多孔質片而作用于該晶片的該正面,從而該保持面對該晶片進行保持,
在該第一改質層形成工序、該第二改質層形成工序以及該第三改質層形成工序中,從該粘接帶側對該晶片照射該激光光線,利用透過該粘接帶而被定位于該晶片的內部的該激光光線的該聚光點來形成該改質層,在該第三改質層形成工序之后實施該第二改質層形成工序,
該晶片的分割方法還具有如下的翻轉工序:在該分割工序之前,使該晶片的正背面翻轉而使該晶片的該正面向上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社迪思科,未經株式會社迪思科許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910588315.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





