[發明專利]一種TiBx 有效
| 申請號: | 201910587427.9 | 申請日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN110438461B | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 榮銘聰 | 申請(專利權)人: | 廣州大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 顏希文;宋靜娜 |
| 地址: | 510006 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tib base sub | ||
1.一種TiBx/Cr抗氧化多層涂層的制備方法,其特征在于:所述制備方法包括以下步驟:
(i)先在硬質合金基體表面沉積Cr過渡層;
(ii)再交替沉積TiBx插入層與Cr插入層,得到所述TiBx/Cr抗氧化多層涂層;
其中,Cr過渡層和Cr插入層通過直流磁控濺射或高功率脈沖磁控濺射沉積而成,x=1.9~3.5;所述Cr插入層單層厚度為0~20 nm。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:沉積所述Cr過渡層和Cr插入層時,沉積偏壓為0~-200 V。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:在步驟(i)中,將所述硬質合金基體加熱至300~500 ℃,并抽取沉積腔室內氣體至真空度低于0.5 mPa后,通入Ar氣,設定Ar氣流量為350~450 sccm,調節沉積腔室內環境壓力至0.1~0.8 Pa,之后開始沉積Cr過渡層,在步驟(ii)中,在Cr過渡層沉積完成之后,維持基體溫度為300~500 ℃,沉積腔室內環境壓力為0.1~0.8 Pa。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:使用高功率脈沖磁控濺射沉積Cr過渡層和Cr插入層時,設定Cr靶材峰值電流密度0.8~1.2 A/cm2,脈沖長度50~150 μs;脈沖偏壓0~-200 V,頻率與高功率脈沖磁控濺射電源同步,脈沖長度60~200 μs。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:使用直流磁控濺射沉積所述TiBx插入層。
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