[發明專利]一種X和ka雙波段共口面微帶陣列天線在審
| 申請號: | 201910585560.0 | 申請日: | 2019-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN110380201A | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 晉兆南;姜曉宇;開敏 | 申請(專利權)人: | 中國航空工業集團公司雷華電子技術研究所 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/18;H01Q1/50;H01Q21/06 |
| 代理公司: | 北京航信高科知識產權代理事務所(普通合伙) 11526 | 代理人: | 高原;劉傳準 |
| 地址: | 214063 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 介質基板 傳輸線 輻射貼片 地板層 上表面 微帶陣列天線 輻射貼片層 饋電網絡層 雙波段 口面 盲孔 外部連接器 能量耦合 微波天線 導電柱 下表面 貫穿 申請 | ||
本申請屬于微波天線技術領域,特別涉及一種X和ka雙波段共口面微帶陣列天線。包括:第一介質基板、第二介質基板以及第三介質基板。第一介質基板的上表面設置有輻射貼片層,輻射貼片層設置有Ka波段輻射貼片和X波段輻射貼片;第二介質基板的上表面設置有上地板層;第三介質基板的上表面設置有饋電網絡層,饋電網絡層設置有Ka波段傳輸線和X波段傳輸線,第三介質基板的下表面設置有下地板層;上地板層開設有用于Ka波段輻射貼片與Ka波段傳輸線的能量耦合的H型縫隙,第一介質基板和第二介質基板上開設有貫穿的用于X波段輻射貼片與X波段傳輸線的連接的導電柱,第三介質基板上開設有盲孔,盲孔用于Ka波段傳輸線和X波段傳輸線與外部連接器的連接。
技術領域
本申請屬于微波天線技術領域,特別涉及一種X和ka雙波段共口面微帶陣列天線。
背景技術
陣列天線是將單個天線按一定規律排列起來組成陣列形式,雙波段共口面陣列天線則是將兩副工作在不同波段的陣列天線設計到一個口面上,兩幅天線共用口面,可以獨立工作,也可以同時工作。
微帶天線是在介質基板上刻蝕金屬地板、傳輸線、輻射貼片的天線,具有體積小、剖面低、重量輕、易于加工等特點。
常規的雙波段共口面微帶陣列天線多采用多層結構,兩個波段的輻射陣面置于不同層,兩個波段的饋電網絡也置于不同層。且由于單元數目眾多,功分器的級數較多,占據空間大,功分器多采用多層形式,層與層之間采用垂直互聯的結構,大大增加了加工難度和加工成本。
因此,希望有一種技術方案來克服或至少減輕現有技術的至少一個上述缺陷。
發明內容
本申請的目的是提供了一種X和ka雙波段共口面微帶陣列天線,以解決現有技術存在的至少一個問題。
本申請的技術方案是:
一種X和ka雙波段共口面微帶陣列天線,其特征在于,包括:
第一介質基板,所述第一介質基板的上表面設置有輻射貼片層,所述輻射貼片層設置有呈陣列排布的Ka波段輻射貼片和X波段輻射貼片;
第二介質基板,所述第二介質基板的上表面和所述第一介質基板的下表面連接,所述第二介質基板的上表面設置有上地板層;
第三介質基板,所述第三介質基板的上表面和所述第二介質基板的下表面連接,所述第三介質基板的上表面設置有饋電網絡層,所述饋電網絡層設置有Ka波段傳輸線和X波段傳輸線,所述第三介質基板的下表面設置有下地板層;
其中,所述上地板層開設有H型縫隙,所述H型縫隙用于所述Ka波段輻射貼片與所述Ka波段傳輸線的能量耦合,所述第一介質基板和所述第二介質基板上開設有貫穿的導電柱,所述導電柱用于所述X波段輻射貼片與所述X波段傳輸線的連接,所述第三介質基板上開設有盲孔,所述盲孔用于所述Ka波段傳輸線和所述X波段傳輸線與外部連接器的連接。
可選地,所述輻射貼片層上包括呈18*18排列的所述Ka波段輻射貼片和呈6*6排列的所述X波段輻射貼片,所述Ka波段輻射貼片呈矩形,所述X波段輻射貼片呈十字型。
可選地,所述上地板層的H型縫隙與所述Ka波段輻射貼片相匹配呈18*18排列,貫穿所述第一介質基板和所述第二介質基板的導電柱與所述X波段的輻射貼片相匹配呈6*6排列。
可選地,所述導電柱的柱面設置有金屬層,內部填充樹脂,所述上地板層上開設有第一圓形饋電口,所述第一圓形饋電口與所述導電柱相匹配。
可選地,所述饋電網絡層上的所述Ka波段傳輸線呈直線型,包括18條,每條所述Ka波段傳輸線均包括1條第一饋電總線和18條第一分口傳輸線,所述第一饋電總線一端與所述盲孔連接,另一端與所述18條第一分口傳輸線的中部連接。
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