[發明專利]一種Ti(C,N)/AlN復合粉體及其制備方法有效
| 申請號： | 201910585015.1 | 申請日： | 2019-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN110282982B | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 余超;艾俊迪;鄧承繼;丁軍;祝洪喜 | 申請（專利權）人： | 武漢科技大學 |
| 主分類號： | C04B35/58 | 分類號： | C04B35/58;C04B35/628 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 張火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ti aln 復合 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Ti(C,N)/AlN復合粉體的制備方法，其特征在于所述制備方法是：將Ti2AlC3粉體裝入石墨坩堝內，再將所述石墨坩堝置入氣氛爐中，在氮氣氣氛條件下升溫至900～1600℃，保溫0.5～3h，冷卻至室溫，制得Ti(C,N)/AlN復合粉體。
2.根據權利要求1所述Ti(C,N)/AlN復合粉體的制備方法，其特征在于所述Ti2AlC3粉體的純度≥98.0wt％，Ti2AlC3粉體的粒徑為10～100μm。
3.根據權利要求1所述Ti(C,N)/AlN復合粉體的制備方法，其特征在于所述氮氣的純度≥98％。
4.一種Ti(C,N)/AlN復合粉體，其特征在于所述Ti(C,N)/AlN復合粉體是根據權利要求1～3項中任一項所述Ti(C,N)/AlN復合粉體的制備方法所制備的Ti(C,N)/AlN復合粉體；
所述Ti(C,N)/AlN復合粉體中的Ti(C,N)顆粒表面覆蓋有AlN晶須；所述AlN晶須直徑為0.010～2μm，長度為1～10μm；所述Ti(C,N)顆粒的粒徑為10～80μm。
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