[發(fā)明專(zhuān)利]蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法和設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910584723.3
• 申請(qǐng)日: 2019-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110289212A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李丹;高英哲;張文福;劉家樺;葉日銓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/033
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/033;H01L21/67
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法，包括：

量測(cè)待蝕刻的晶圓的膜層厚度；

將所述晶圓放入蝕刻溶液；

實(shí)時(shí)檢測(cè)蝕刻溶液比重，并根據(jù)蝕刻溶液的實(shí)時(shí)比重確定蝕刻時(shí)長(zhǎng)，以達(dá)到對(duì)膜層的蝕刻厚度要求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法，其特征在于，將至少兩個(gè)晶圓放入蝕刻溶液進(jìn)行蝕刻反應(yīng)，且量測(cè)待蝕刻的晶圓的膜層厚度時(shí)，還包括以下步驟：

將膜層厚度一致的晶圓歸為一類(lèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法，其特征在于，將被歸為同一類(lèi)的晶圓放入蝕刻溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法，其特征在于，待蝕刻的膜層為氮化硅層，量測(cè)待蝕刻的晶圓的膜層厚度時(shí)，包括以下步驟：

量測(cè)所述晶圓表面的氮化硅層厚度；

量測(cè)晶圓表面的氧化物層厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法，其特征在于，將所述晶圓放入蝕刻溶液之前，還包括以下步驟：

獲取蝕刻用的蝕刻溶液的初始比重。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法，其特征在于，還包括以下步驟：

根據(jù)對(duì)膜層的預(yù)設(shè)蝕刻厚度以及蝕刻用的蝕刻溶液的初始比重，確定初始蝕刻時(shí)長(zhǎng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法，其特征在于，根據(jù)蝕刻溶液的實(shí)時(shí)比重與初始比重的差值，計(jì)算出實(shí)時(shí)蝕刻時(shí)長(zhǎng)與初始蝕刻時(shí)長(zhǎng)的差值，從而調(diào)整剩余蝕刻時(shí)長(zhǎng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的方法，其特征在于，所述蝕刻溶液為磷酸溶液，通過(guò)檢測(cè)磷酸溶液的相對(duì)密度來(lái)檢測(cè)磷酸溶液的比重。

9.一種蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的設(shè)備，其特征在于，包括：

比重計(jì)，設(shè)置到盛裝有蝕刻溶液的液體槽內(nèi)，用于實(shí)時(shí)檢測(cè)蝕刻溶液的比重；

控制器，連接到所述比重計(jì)，用于根據(jù)檢測(cè)到的蝕刻溶液比重控制晶圓的蝕刻時(shí)間，以達(dá)到對(duì)膜層的蝕刻厚度要求。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻工藝中精確控制膜層厚度的設(shè)備，其特征在于，所述蝕刻溶液為磷酸溶液，所述比重計(jì)通過(guò)檢測(cè)磷酸溶液的相對(duì)密度來(lái)檢測(cè)磷酸溶液的比重。