[發(fā)明專利]一種新型半導(dǎo)體IGBT模塊組合

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910584025.3
• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN110190046A
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳微微;林世科
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市紅邦半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H02M7/00
• 代理公司: 深圳市遠(yuǎn)航專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44276
• 代理人: 張朝陽;袁浩華

本發(fā)明公開了一種新型半導(dǎo)體IGBT模塊組合，包括正極半導(dǎo)體以及負(fù)極半導(dǎo)體組成的逆變電路，所述正極半導(dǎo)體包括N極負(fù)極以及U、V、W三相輸出，所述負(fù)極半導(dǎo)體包括P極正極以及U、V、W三相輸出，所述正極半導(dǎo)體以及負(fù)極半導(dǎo)體均具備有多個柵極以及多個發(fā)射極。本發(fā)明的半導(dǎo)體LSK3PNIGBT多個組合可以裝機(jī)更大功率的設(shè)備，為用戶能贏得更好的經(jīng)濟(jì)效益。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體，具體涉及一種新型半導(dǎo)體IGBT模塊組合。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體IGBT模塊 (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型功率管)是由BJT( 雙極型三極管 ) 和 MOS( 絕緣柵型場效應(yīng)管 ) 組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力半導(dǎo)體器件，兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低，在工業(yè)控制領(lǐng)域中，尤其是變頻器領(lǐng)域內(nèi)，被廣泛用作開關(guān)器件。

現(xiàn)有技術(shù)中，單只6管IGBT體積大，單只封裝做不了更大的電流，如圖1和圖2所示。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是一種新型半導(dǎo)體IGBT模塊組合，正負(fù)組成逆變電路，一只正，一只負(fù)，單只可以做更大電流的封裝，多只組合安裝更簡單，可以做更大功率設(shè)備。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的：一種新型半導(dǎo)體IGBT模塊組合，包括正極半導(dǎo)體以及負(fù)極半導(dǎo)體組成的逆變電路，所述正極半導(dǎo)體包括N極負(fù)極以及U、V、W三相輸出，所述負(fù)極半導(dǎo)體包括P極正極以及U、V、W三相輸出，所述正極半導(dǎo)體以及負(fù)極半導(dǎo)體均具備有多個柵極以及多個發(fā)射極。

作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述U、V、W三相輸出分別具有一組柵極以及一組發(fā)射極。

作為優(yōu)選的技術(shù)方案，U相輸出包括G1柵極以及G2發(fā)射極。

作為優(yōu)選的技術(shù)方案，V相輸出包括G3柵極以及G4發(fā)射極。

作為優(yōu)選的技術(shù)方案，W相輸出包括G5柵極以及G6發(fā)射極。

作為優(yōu)選的技術(shù)方案，半導(dǎo)體采用IGBT芯片以及一陶瓷基板，IGBT芯片安裝于陶瓷基板上。

作為優(yōu)選的技術(shù)方案，正極半導(dǎo)體以及負(fù)極半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)其電流為150-600A，耐壓600-1200V。

本發(fā)明的有益效果是：1.電流可以做到150-600A，耐壓：600-1200V；

2. 新型半導(dǎo)體LSK3PNIGBT，在很多設(shè)備和變頻器，逆變器中；

3. 新型半導(dǎo)體LSK3PNIGBT，正負(fù)組合到450A 更大封裝IGBT；

4.體積小節(jié)省空間使設(shè)備里空氣流動快，散熱更有效在，減少設(shè)備故障率和延長使用壽命；

5. 新型半導(dǎo)體LSK3PNIGBT多個組合可以裝機(jī)更大功率的設(shè)備，為用戶能贏得更好的經(jīng)濟(jì)效益。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)技術(shù)中的產(chǎn)品俯視圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的原理簡圖；

圖3為本發(fā)明的LSK3PIGBT原理簡圖；

圖4為本發(fā)明的LSK3PIGBT結(jié)構(gòu)簡圖；

圖5為本發(fā)明的LSK3NIGBT原理簡圖；

圖6為本發(fā)明的LSK3NIGBT結(jié)構(gòu)簡圖；