[發明專利]一種基于手性金屬吸收的熱電子的光電探測器有效
| 申請號: | 201910583079.8 | 申請日: | 2019-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN110289325B | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 北京博業工程技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/11 |
| 代理公司: | 北京智行陽光知識產權代理事務所(普通合伙) 11738 | 代理人: | 黃錦陽 |
| 地址: | 100020 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 手性 金屬 吸收 電子 光電 探測器 | ||
1.一種基于手性金屬吸收的熱電子光電探測器,其特征在于:所述光電探測為多層結構,由下而上依次為襯底層(1)、下金屬層(2)、中間半導體層(3)、上金屬層(4);下金屬層(2)和上金屬層(4)通過導線連接;
其中,所述下金屬層(2)和上金屬層(4)分別由手性孔結構周期排布構成,所述下金屬層(2)是由左手性孔結構周期排布而成;所述上金屬層(4)是由右手性孔結構周期排布而成。
2.根據權利要求1所述的熱電子光電探測器,其特征在于:所述中間半導體層(3)厚度為30nm,所述上金屬層(4)厚度為20nm,所述下金屬層(2)厚度為50nm。
3.根據權利要求1所述的熱電子光電探測器,其特征在于:所述左手性孔結構的周期為500nm,所述右手性孔結構的周期為500nm。
4.根據權利要求2所述的熱電子光電探測器,其特征在于:所述下金屬層(2)和上金屬層(4)由貴金屬材料Au制成;所述中間半導體層(3)為金屬氧化物Al2O3制成。
5.根據權利要求4所述的熱電子光電探測器,其特征在于:所述下金屬層(2)、中間半導體層(3)、上金屬層(4)之間均分離接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





