[發明專利]晶圓及其制作方法、半導體器件

在審

• 申請號: 201910579219.4
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN112151439A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 吳秉桓
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/764
• 分類號: H01L21/764;H01L21/768
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種晶圓制作方法，其特征在于，所述晶圓制作方法包括：

提供晶圓本體，所述晶圓本體上設置有用于切割的切割道；

在所述切割道的側部形成止裂硅通孔，所述硅通孔內填充有保護材料。

2.如權利要求1所述的晶圓制作方法，其特征在于，所述在所述切割道的側部形成止裂硅通孔，包括：

在所述晶圓本體的第一面所述切割道的側部形成盲孔；

在所述盲孔內填充保護材料；

對所述晶圓本體的第二面進行減薄，直至暴露所述盲孔，所述第二面和所述第一面相對。

3.如權利要求1所述的晶圓制作方法，其特征在于，所述在所述切割道的側部形成止裂硅通孔，包括：

在第一晶圓本體上切割道側部形成第一止裂硅通孔；

在所述第一止裂硅通孔內填充保護材料；

在第二晶圓本體上切割道側部和所述第一止裂硅通孔對應的位置形成第二止裂硅通孔，所述第一晶圓本體和所述第二晶圓本體堆疊設置；

在所述第二止裂硅通孔填充所述保護材料。

4.如權利要求1-3任一項所述的晶圓制作方法，其特征在于，在所述切割道的側部形成止裂硅通孔，包括：

在所述切割道延伸方向的兩側形成止裂硅通孔。

5.如權利要求4所述的晶圓制作方法，其特征在于，所述止裂硅通孔包括連續分布的硅通孔或者離散分布的硅通孔。

6.如權利要求4所述的晶圓制作方法，其特征在于，所述切割道的一側形成有多行止裂硅通孔。

7.如權利要求1所述的晶圓制作方法，其特征在于，所述止裂硅通孔的寬度為2微米-20微米，所述止裂硅通孔的深度為15微米-150微米。

8.如權利要求1所述的晶圓制作方法，其特征在于，所述保護材料包括：銅、鎢、鋁、鉭、鈦、氮化鉭、氮化鈦、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、聚酰亞胺和正硅酸乙酯中的一種或多種。

9.如權利要求8所述的晶圓制作方法，其特征在于，所述止裂硅通孔中設置有氣隙孔。

10.一種晶圓，其特征在于，所述晶圓包括：

晶圓本體，所述晶圓本體上設置有用于切割的切割道；

止裂硅通孔，設于所述切割道的側部，所述止裂硅通孔內填充有保護材料。

11.如權利要求10所述的晶圓，其特征在于，所述止裂硅通孔形成于所述切割道延伸方向的兩側。

12.如權利要求11所述的晶圓，其特征在于，所述止裂硅通孔包括連續分布的硅通孔或者離散分布的硅通孔。

13.如權利要求11所述的晶圓，其特征在于，所述切割道的一側形成有多行止裂硅通孔。

14.如權利要求10所述的晶圓，其特征在于，所述止裂硅通孔的寬度為2微米-20微米，所述止裂硅通孔的深度為15微米-150微米。

15.如權利要求10所述的晶圓，其特征在于，所述保護材料包括：銅、鎢、鋁、鉭、鈦、氮化鉭、氮化鈦、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、聚酰亞胺和正硅酸乙酯中的一種或多種。

16.如權利要求15所述的晶圓，其特征在于，所述止裂硅通孔中設置有氣隙孔。

17.一種半導體器件，其特征在于，包括多層如權利要求10-16任一項所述的晶圓，多層所述晶圓堆疊設置。