[發明專利]MCU外接存儲器實現大容量數據處理電路及其方法

在審

• 申請號: 201910579135.0
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN112147922A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 黃杰;湯欣平
• 申請（專利權）人: 湖南久森新能源有限公司
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種MCU外接存儲器實現大容量數據處理電路，其特征在于：包括MCU以及至少兩個儲存芯片；至少兩個所述儲存芯片的SDA腳互相連接形成GSDA端，至少兩個所述儲存芯片的SCL腳互相連接形成FSCL端；所述MCU的DSDA腳與所述GSDA端連接，所述MCU的ESCL腳與所述FSCL端連接。

2.根據權利要求1所述的MCU外接存儲器實現大容量數據處理電路，其特征在于：所述MCU與所述儲存芯片之間的數據傳輸協議為I2C協議。

3.一種基于權利要求1或2所述的MCU外接存儲器實現大容量數據處理電路的數據處理方法，其特征在于：包括數據儲存步驟和數據讀取步驟；

所述數據儲存步驟包括：

A100、所述MCU與所述儲存芯片之間建立數據儲存連接；

A200、所述MCU向所述儲存芯片發送儲存數據；

A300、所述MCU在完成所述儲存數據的傳輸后，所述儲存芯片驗證所述儲存數據為正確，則保存所述儲存數據；

所述數據讀取步驟包括：

B100、所述MCU與所述儲存芯片建立數據讀取連接；

B200、所述儲存芯片向所述MCU發送所述數據保存步驟中保存的儲存數據；

B300、所述儲存芯片在完成所述儲存數據的傳輸后，所述MCU驗證所述儲存數據為正確，則使用所述儲存數據。

4.根據權利要求3所述的數據處理方法，其特征在于：

步驟A100包括以下步驟：

A101、所述MCU通過其DSDA腳發送寫設備地址位信號；

A102、所述儲存芯片接收到所述寫設備地址位信號后，通過GSDA端回復應答信號，完成數據儲存連接的建立。

5.根據權利要求4所述的數據處理方法，其特征在于：在步驟A200所述MCU向所述儲存芯片發送儲存數據之前，所述MCU通過其DSDA腳發送接收數據命令，所述儲存芯片接收到所述接收數據命令后，通過GSDA端回復應答信號。

6.根據權利要求5所述的數據處理方法，其特征在于：在步驟A200所述MCU向所述儲存芯片發送儲存數據中，所述MCU通過DSDA腳發送儲存數據，所述儲存芯片接收到所述儲存數據后，通過GSDA端回復應答信號。

7.根據權利要求3所述的數據處理方法，其特征在于：

步驟B100包括以下步驟：

B101、所述MCU的DSDA腳發送讀設備地址位信號；

B102、所述儲存芯片接收到所述讀設備地址位信號后，通過GSDA端回復應答信號，完成數據讀取連接的建立。

8.根據權利要求7所述的數據處理方法，其特征在于：在步驟B200所述儲存芯片向所述MCU發送所述數據保存步驟中保存的儲存數據之前，所述MCU通過其DSDA腳發送讀取數據命令，所述儲存芯片接收到所述讀取數據命令后，通過GSDA端回復應答信號。

9.根據權利要求8所述的數據處理方法，其特征在于：在步驟B200所述儲存芯片發送儲存數據中，所述儲存芯片通過GSDA端發送儲存數據，所述MCU接收到所述儲存數據后，通過DSDA腳回復應答信號。

10.根據權利要求3所述的數據處理方法，其特征在于：

在步驟A300中，所述MCU的DSDA腳發送第一校驗碼；所述儲存芯片接收到所述第一驗證碼后，通過GSDA端回復應答信號，并對比第一校驗碼確認所述儲存數據是否正確，若正確則保存所述儲存數據；

在步驟B300中，所述儲存芯片的GSDA端發送第二校驗碼；所述MCU接收到所述第二校驗碼后，通過DSDA腳回復應答信號，并對比第二校驗碼確認所述儲存數據是否正確，若正確則使用所述儲存數據。