[發明專利]一種含硼化合物、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201910579047.0
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110204565B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 瞿星權;汪奎;葉添昇
• 申請（專利權）人: 武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號: C07F5/02
• 分類號: C07F5/02;C09K11/06;H01L27/32
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

本申請公開了一種含硼化合物，結構通式如式I所示：其中，R為電子給體，選自取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基。本發明提供的含硼化合物是一種新型硼雜環有機小分子發光材料，通過接入具有大位阻的基團，避免了化合物的聚集，避免共軛平面的直接堆積形成π聚集或激基締合物，從而提高了發光效率。

技術領域

本申請涉及有機電致發光材料技術領域，尤其涉及一種含硼化合物、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

根據發光機制，可用于OLED發光層材料主要有以下4種：

1、熒光材料

材料的單線激發態S1，通過輻射躍遷回到基態S0。

2、磷光材料

三線激發態T1直接輻射衰減到基態S0(Nature,1998,395,151)。

3、三線態-三線態湮滅(TTA)材料

兩個三線態激子相互作用產生一個單線態激子，通過輻射躍遷回到基態S0(Adv.Funct.Mater.,2013,23,739)。

4、熱活化延遲熒光(Thermally Active Delayed Fluorescence，TADF)材料

當S1態與T1態之間的能隙值較小且T1態激子壽命較長時，在一定溫度條件下，T1態激子可以逆向系間竄越(RISC)實現T1→S1的過程，再由S1態輻射衰減至基態S0(Nature,2012,492,234-238)。

以上幾種材料的理論最大內量子產率、結構設計多樣化及材料成本如表1所示：

表1

熒光材料：根據自旋統計，激子中單線態和三線態激子的比例是1:3，所以熒光材料最大內量子產率不超過25％。依據朗伯發光模式，光取出效率為20％左右，故基于熒光材料的OLED器件的EQE不超過5％。

磷光材料：磷光材料由于重原子效應，可以通過自旋偶合作用，加強分子內部系間竄越，可以直接利用75％的三線態激子，從而實現在室溫下S1和T1共同參與的發射，理論最大內量子產率可達100％。依據朗伯發光模式，光取出效率為20％左右，故基于磷光材料的OLED器件的EQE可以達到20％。但是磷光材料基本為Ir、Pt、Os、Re、Ru等重金屬配合物，生產成本較高，不利于大規模生產。在高電流密度下，磷光材料存在嚴重的效率滾降現象，同事磷光器件的穩定性并不好。

三線態-三線態湮滅(TTA)材料：兩個相鄰的三線態激子，復合生成一個更高能級的單線激發態分子和一個基態分子，但是兩個三線態激子產生一個單線態激子，所以理論最大內量子產率只能達到62.5％。為了防止產生較大的效率滾降現象，在這個過程中三線態激子的濃度需要調控。

熱激活延遲熒光(TADF)材料：當單線激發態和三線激發態的能級差較小時，分子內部發生反向系間竄越RISC，T1態激子通過吸收環境熱上轉換到S1態，可同時利用75％的三線態激子和25％的單線態激子，理論最大內量子產率可達100％。主要為有機化合物，不需要稀有金屬元素，生產成本低。可通過多種方法進行化學修飾。但目前已發現的TADF材料較少，新型的可用于OLED器件的TADF材料亟待開發。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是提供一種含硼化合物結構通式如式I所示：

其中，R為電子給體，選自取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基。

本發明提供的含硼化合物是一種新型硼雜環有機小分子發光材料，通過接入具有大位阻的基團，避免了化合物的聚集，避免共軛平面的直接堆積形成π聚集或激基締合物，從而提高了發光效率。