[發明專利]一種半導體發光器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201910577674.0
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110364593B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 鐘志白;李佳恩;張敏;卓昌正;徐宸科;康俊勇
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/38
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

1.一種半導體發光器件，其特征在于，包括：

襯底；

形成在所述襯底正面上的堆疊外延層，所述堆疊外延層包括依次形成在所述襯底正面上的第一半導體層、有源層以及與所述第一半導體層的導電類型相反的第二半導體層，所述半導體發光器件自所述堆疊外延層的第一端發光；

形成在與所述第一端相對的第二端外側的反射層；

形成在所述襯底背面的第一電極結構；

其中，所述第一電極結構包括形成在所述襯底背面的第一歐姆接觸層以及形成在所述第一歐姆接觸層外側的連接金屬層，并且所述連接金屬層同時形成在所述堆疊外延層的所述第一端及所述第二端的所述反射層的外側。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于，所述襯底包括GaN基襯底，所述半導體發光器件包括GaN激光二極管或發光二極管。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于，所述反射層包括形成在所述第二端的多層結構。

4.根據權利要求3所述的半導體發光器件，其特征在于，所述反射層由Al₂O₃、Ta₂O₅、MgF₂、SiO₂、TiO₂、ZrO₂和HfO₂中的至少一種形成。

5.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于，所述堆疊外延層的所述第一端還形成有抗反射層，所述連接金屬層形成在所述抗反射層的外側。

6.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于，所述連接金屬層包括自所述第一歐姆接觸層依次形成的金屬反射層和金屬鍵合層。

7.根據權利要求6所述的半導體發光器件，其特征在于，所述連接金屬層由Ag、Al、Cu、Au、Ti、Pt、Cr中的至少一種形成。

8.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于，還包括形成在所述第二半導體層上的第二電極結構。

9.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于，所述連接金屬層的位置低于所述有源層。

10.一種半導體發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底正面上依次形成第一半導體層、有源層以及第二半導體層以形成堆疊外延層，所述半導體發光器件自所述堆疊外延層的第一端發光；

在與所述第一端相對的第二端形成反射層；

在所述襯底背面形成第一歐姆接觸層并在所述第一歐姆接觸層的外側形成連接金屬層以形成第一電極結構；所述連接金屬層同時形成在所述堆疊外延層的所述第一端以及所述反射層的外側。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在所述第一端形成所述第一電極結構之前還包括：在所述第一端形成抗反射層。

12.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在與所述第一端相對的第二端形成反射層包括在所述第二端依次形成多層反射層。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述反射層由Al₂O₃、Ta₂O₅、MgF₂、SiO₂、TiO₂、ZrO₂和HfO₂中的至少一種形成。

14.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，形成第一電極結構還包括：

在所述抗反射層的外側形成所述連接金屬層。