[發明專利]石墨載盤及具有其的MOCVD反應裝置

在審

• 申請號: 201910575797.0
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN112144113A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 陳浩;陶冠群;饒曉松;王明;劉敏;蒲健
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技股份有限公司
• 主分類號: C30B25/12
• 分類號: C30B25/12
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種石墨載盤，其特征在于，所述石墨載盤呈圓形，且由所述石墨載盤中心朝向邊緣的方向上，所述石墨載盤包括里圈區域、中圈區域及外圈區域，所述石墨載盤上設有若干用于承載4英寸襯底的凹槽，所述凹槽包括位于里圈區域的里圈凹槽、位于中圈區域的中圈凹槽及位于外圈區域的外圈凹槽，所述里圈區域設有6個里圈凹槽。

2.根據權利要求1所述的石墨載盤，其特征在于，所述石墨載盤還包括位于所述凹槽內的若干支撐件，于所述石墨載盤的厚度方向上，若干支撐件等高。

3.根據權利要求1所述的石墨載盤，其特征在于，所述中圈區域設有12個中圈凹槽，所述外圈區域設有18個外圈凹槽。

4.根據權利要求1所述的石墨載盤，其特征在于，所述凹槽為圓形凹槽。

5.根據權利要求4所述的石墨載盤，其特征在于，若干里圈凹槽的中心連成里圈中心線，若干中圈凹槽的中心線連成中圈中心線，所述中圈中心線與所述里圈中心線之間形成中間區域，所述中間區域包括對應若干里圈凹槽的第一區域、對應若干中圈凹槽的第二區域及對應剩余部分的交接區域，所述襯底用于成型外延片，對應所述里圈凹槽的外延片的工作電壓為第一電壓，對應所述中圈凹槽的外延片的工作電壓為第二電壓，所述第一電壓與所述第二電壓之間具有電壓差，所述交接區域的面積與所述電壓差之間為正相關。

6.根據權利要求5所述的石墨載盤，其特征在于，所述交接區域的面積不大于30000mm²。

7.根據權利要求4所述的石墨載盤，其特征在于，所述石墨大盤具有中心點，任意兩個外圈凹槽之間具有外圈交接區，所述中心點至所述外圈交接區之間形成基準線，所述中心點與所述里圈凹槽的中心之間的第一連線與所述基準線之間的最小夾角為10°，所述中心點與所述中圈凹槽的中心之間的第二連線與所述基準線之間的最小夾角為5°，所述中心點與所述外圈凹槽的中心之間的第三連線與所述基準線之間的最小夾角為10°。

8.根據權利要求4所述的石墨載盤，其特征在于，任一里圈凹槽的中心與相鄰的兩個中圈凹槽的中心之間的連線呈正三角形。

9.根據權利要求4所述的石墨載盤，其特征在于，任一里圈凹槽與相鄰的里圈凹槽或中圈凹槽均接觸。

10.一種MOCVD反應裝置，其特征在于，包括如權利要求1-9中任意一項所述的石墨載盤、位于所述石墨載盤下方的加熱裝置、反應腔及源供給系統，所述石墨載盤位于所述反應腔內，所述源供給系統用于為反應腔提供反應氣體。