[發明專利]存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 201910575237.5
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110660434A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 威凱特瑪娜·安格薩尼;林智薰
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G11C11/56
• 代理公司: 11286 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 史泉;張川緒

1.一種存儲器裝置，包括：

存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元；

補償電路，電連接到存儲器單元陣列，補償電路被配置為：生成單元電流以補償與所述多個存儲器單元中的至少一個存儲器單元連接的信號線的寄生電阻器中生成的電壓降。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，補償電路包括補償電阻器，并且補償電路被配置為：在接收到與所述至少一個存儲器單元對應的地址時，控制補償電阻器的電阻的大小。

3.根據權利要求2所述的存儲器裝置，其中，補償電路被配置為：基于將補償電阻器的電阻的大小調節為等于或基本等于寄生電阻器的電阻值來增大單元電流的大小。

4.根據權利要求3所述的存儲器裝置，還包括：

功率補償電阻器，與所述多個存儲器單元之中的每個存儲器單元對應，其中，所述功率補償電阻器的電阻值隨著選擇的存儲器單元的單元電阻值增大而增大。

5.根據權利要求4所述的存儲器裝置，其中，所述功率補償電阻器連接到與選擇的存儲器單元連接的位線和字線中的至少一條，所述功率補償電阻器的電阻值大于選擇的存儲器單元的最小電阻值并小于選擇的存儲器單元的最大電阻值。

6.根據權利要求2所述的存儲器裝置，其中，補償電路還包括功率補償電阻器，并且補償電路還被配置為基于調節所述功率補償電阻器的電阻值來控制供應給存儲器單元的功率。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，還包括：

電力生成器，其中，補償電路被配置為：基于補償電阻器生成單元電流，其中，單元電流基于施加到選擇的存儲器單元的第一電壓和從電力生成器施加到補償電路的第二電壓。

8.根據權利要求7所述的存儲器裝置，還包括：

控制邏輯，其中，補償電路包括：第一補償電阻器、第二補償電阻器和第三補償電阻器，補償電路被配置為：從第一端子接收第二電壓并從第二端子接收第三電壓，其中，第一補償電阻器和第二補償電阻器連接到第一端子，第三補償電阻器連接到第二端子。

9.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中，施加到選擇的存儲器單元的電壓等于從電力生成器施加到補償電路的第二電壓和第三電壓。

10.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，

補償電路包括電流鏡，其中，電流鏡被配置為生成在補償電阻器中流動的與單元電流在大小上相等的電流，

電流鏡包括第一晶體管和第二晶體管，其中，第一晶體管電連接到所述至少一個存儲器單元，第二晶體管電連接到補償電路。

11.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中，

補償電路包括運算放大器，其中，運算放大器被配置為：

接收第一節點電壓，其中，第一節點電壓是通過從補償電路的外部施加到所述至少一個存儲器單元的第一電壓減去由于所述至少一個存儲器單元和寄生電阻器引起的電壓降而獲得的電壓，

接收第二節點電壓，其中，第二節點電壓是通過從補償電路的外部施加到補償電路的第二電壓減去由于補償電阻器引起的電壓降而獲得的電壓。

12.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中，

第一晶體管和第二晶體管的柵極端子連接到運算放大器的輸出端子，

連接到所述至少一個存儲器單元的導線連接到運算放大器的第一輸入端子，

連接到補償電阻器的導線連接到運算放大器的第二輸入端子。