[發明專利]磁性存儲裝置在審
| 申請號： | 201910575165.4 | 申請日： | 2019-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN110660906A | 公開（公告）日： | 2020-01-07 |
| 發明（設計）人： | 葛雷維古帕塔亞;威廉·J·加拉格爾;吳志強 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 72003 隆天知識產權代理有限公司 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 釘扎層 磁性存儲裝置 參考層 磁化方向 反鐵磁層 間隔物層 底電極 自由層 合成 阻障層 穿隧 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁性存儲裝置，包括：
一底電極；
一第一合成反鐵磁層，包括一第一釘扎層與一第二釘扎層位于該底電極上，該第一釘扎層與該第二釘扎層具有相反的磁化方向且隔有一第一間隔物層，且該第二釘扎層比該第一釘扎層靠近該底電極；
一參考層，位于該第一合成反鐵磁層上；
一自由層，位于該參考層上，并與該參考層隔有一穿隧阻障層；以及
一第二合成反鐵磁層，包括一第三釘扎層與一第四釘扎層于該自由層上，該第三釘扎層與該第四釘扎層具有相反的磁化方向且隔有一第二間隔物層，且該第三釘扎層比該第四釘扎層靠近該自由層。
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