[發明專利]抗蝕劑組合物以及抗蝕劑圖案形成方法在審
| 申請號： | 201910574756.X | 申請日： | 2019-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN110716390A | 公開（公告）日： | 2020-01-21 |
| 發明（設計）人： | 砂道智成;河野紳一;大野慶晃;白木雄哲;齊藤彩 | 申請（專利權）人： | 東京應化工業株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/004 | 分類號： | G03F7/004;G03F7/00 |
| 代理公司： | 31291 上海立群專利代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 毛立群 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抗蝕劑組合物 基材 顯影液 質量份 單胺化合物 厚膜抗蝕劑 抗蝕劑圖案 高靈敏度 環結構 地鍵 膜厚 烴基 圖案 曝光 | ||
1.一種抗蝕劑組合物，其是通過曝光產生酸且對顯影液的溶解性因酸的作用而變化的抗蝕劑組合物，其特征在于，含有：
基材成分(A)，對顯影液的溶解性因酸的作用而變化；
叔單胺化合物(D0)，以下述通式(d0)表示，
所述基材成分(A)的含量為20質量％以上，
所述化合物(D0)的含量相對于所述基材成分(A)100質量份為0.01～0.05質量份，
【化1】
式中，Rx1～Rx3分別獨立地表示可具有取代基的烴基；Rx1～Rx3也可以2個以上相互地鍵合從而形成環結構。
2.如權利要求1所述的抗蝕劑組合物，其特征在于，所述化合物(D0)是以下述通式(d0-1)或(d0-2)表示的化合物，
【化2】
式(d0-1)中，Rx11～Rx13分別獨立地表示可具有取代基的直鏈狀或支鏈狀的烷基或芳香族烴基，其中，Rx11～Rx13并非全部為芳香族烴基，式(d0-2)中，Ry1～Ry3表示可具有取代基的直鏈狀或支鏈狀的烷基，nx1表示0～3的整數。
3.如權利要求1或權利要求2所述的抗蝕劑組合物，其特征在于，還含有因曝光而產生酸的產酸劑成分(B)。
4.一種抗蝕劑圖案形成方法，其特征在于，包含：
工序(i)，在支承體上使用權利要求1～3的任一項所述的抗蝕劑組合物而形成抗蝕劑膜；
工序(ii)，將所述抗蝕劑膜曝光；
以及工序(iii)，對所述曝光后的抗蝕劑膜進行顯影從而形成抗蝕劑圖案。
5.如權利要求4所述的抗蝕劑圖案形成方法，其特征在于，在所述工序(i)中形成的抗蝕劑膜的膜厚為5μm以上。
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