[發明專利]一種具有三棱柱反射陣列的氣體靶中性化器

在審

• 申請號: 201910573734.1
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN112151196A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 楊憲福;魏會領;曹建勇
• 申請（專利權）人: 核工業西南物理研究院
• 主分類號: G21B1/15
• 分類號: G21B1/15;G21B1/19
• 代理公司: 核工業專利中心 11007
• 代理人: 高安娜

1.一種具有三棱柱反射陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：包括截面為矩形的中性化管道(3)、設于中性化管道(3)內由若干個三棱柱反射框(1)組成的三棱柱反射陣列、設于中性化管道(3)外部的純鐵屏蔽罩(2)，以及沿著每個三棱柱反射框(1)圍繞一圈的冷卻水管(7)；所述的冷卻水管(7)的進水口和出水口全部穿過中性化管道(3)和純鐵屏蔽罩(2)；所述的三棱柱反射框(1)平行且等間距放置；所述的中性化管道(3)底部設有送氣結構(4)，向中性化管道(3)內輸送中性化氣體。

2.如權利要求1所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的三棱柱反射框(1)由四段截面為直角三角形的三棱柱焊接組成。

3.如權利要求2所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的直角三角形為60°角的直角三角形，所述的三棱柱反射框(1)中由截面直角短邊所在側面與中性化管道(3)側壁接觸，并且垂直于離子束流方向，截面斜邊所在側面的外法線方向偏向中性化管道(3)入口方向。

4.如權利要求1所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的送氣結構(4)包括穿過純鐵屏蔽罩(2)下方并和中性化管道(3)焊接的安裝套管(11)和設于安裝套管(11)內的同軸的送氣管(8)，安裝套管(11)下端為螺帽(10)，送氣管(8)穿過純鐵屏蔽罩(2)和中性化管道(3)伸入到中性化管道(3)包圍形成的離子束流動空間內。

5.如權利要求4所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的送氣管(8)的送氣端設有偏轉段(9)，偏轉方向朝向離子束流動入口。

6.如權利要求5所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的偏轉段(9)的長徑比為1～5。

7.如權利要求5所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的偏轉段(9)的偏轉角度為140～160°。

8.如權利要求5所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的冷卻水管(7)的直徑為6～8mm。

9.如權利要求5所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的螺帽(10)和安裝套管(11)通過密封圈(12)密封連接。

10.如權利要求2所述的一種具有三棱柱反射框陣列的氣體靶中性化器，其特征在于：所述的三棱柱反射陣列中相鄰三棱柱反射框(1)之間的間距為100～120mm。