[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910572512.8
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN112151369A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘璋
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/033;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多晶硅膜；

采用刻蝕工藝去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅層，刻蝕液為氫氟酸與臭氧溶液的混合液，氫氟酸與臭氧溶液的體積比例為1:4～4:1。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氫氟酸中的HF與H₂O的體積比例為1:200。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧溶液的百分比濃度為30ppm。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底包括襯底及器件層，所述器件層覆蓋所述襯底表面；形成所述多晶硅膜的工藝中，在所述器件層表面形成多晶硅膜。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕工藝的工藝時間小于30min，且所述工藝時間大于或等于1min。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕液的溫度為25℃～50℃。

7.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度小于

8.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述多晶硅膜的工藝中，所述多晶硅膜的厚度為

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底；

多晶硅層，位于所述基底上。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底包括襯底及器件層，所述器件層覆蓋所述襯底表面，所述多晶硅層覆蓋所述器件層表面。