[發明專利]圖像傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 201910572458.7
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110289278A
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 姚公達
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一面，且所述基底包括圖像區；

位于所述圖像區內的若干光電摻雜區；

位于所述圖像區第一面表面的傳輸柵極結構；

位于所述圖像區第一面上和傳輸柵極結構上的反射層。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述傳輸柵極結構位于光電摻雜區一側基底的第一面表面。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括：位于所述傳輸柵極結構頂部表面和側壁表面、第一面上的第一介質層以及位于第一介質層上的導電層。

4.如權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述反射層位于所述第一介質層表面；所述導電層位于反射層表面。

5.如權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述反射層位于所述第一介質層內。

6.如權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述反射層位于傳輸柵極結構頂部表面和側壁表面、以及第一面上；所述第一介質層位于所述反射層上。

7.如權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述導電層與傳輸柵極結構電連接。

8.如權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述反射層的材料和第一介質層的材料不同。

9.如權利要求8所述的圖像傳感器，其特征在于，所述反射層的材料包括：金屬和非金屬材料。

10.如權利要求9所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括：位于第一介質層內的導電插塞，所述導電插塞貫穿所述反射層。

11.如權利要求10所述的圖像傳感器，其特征在于，所述反射層的材料為金屬時，導電插塞與反射層之間具有絕緣層。

12.如權利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，所述金屬包括：銅、鎢、鋁、鈦和鉭中的一種或多種組合；所述反射層的厚度范圍為5納米～120納米。

13.如權利要求10所述的圖像傳感器，其特征在于，所述反射層的材料為非金屬時，包括：氮化硅、氮化鈦、氮化鉭或者砷化鎵；所述反射層的厚度范圍為5納米～120納米。

14.如權利要求4、5或者6所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括：位于傳所述傳輸柵極結構頂部表面和側壁表面、以及第一面上的刻蝕停止層；所述第一介質層位于所述刻蝕停止層上。

15.如權利要求14所述的圖像傳感器，其特征在于，當所述反射層位于傳輸柵極結構頂部表面和側壁表面、以及第一面上時，所述反射層與所述刻蝕停止層層疊并相接觸。

16.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述基底還包括：與第一面相對的第二面；所述圖像傳感器還包括：位于圖像區第二面表面的濾光片；位于濾光片表面的微透鏡。

17.一種如權利要求1至16任一項所述圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一面，且所述基底包括圖像區；

在所述圖像區內形成若干光電摻雜區；

在所述圖像區第一面表面形成傳輸柵極結構；

在所述圖像區第一面上和傳輸柵極結構上形成反射層。