[發明專利]SiC器件的制造方法及評價方法有效
| 申請號： | 201910572047.8 | 申請日： | 2019-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN110739239B | 公開（公告）日： | 2023-08-04 |
| 發明（設計）人： | 郭玲 | 申請（專利權）人： | 株式會社力森諾科 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 張軼楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 器件 制造 方法 評價 | ||
1.一種SiC器件的制造方法，包括：
離子注入工序，對具有外延層的SiC外延晶片的所述外延層進行離子注入；和
評價工序，在所述離子注入工序之后，對所述SiC外延晶片的缺陷進行評價，
所述評價工序包括：
表面檢查工序，進行所述SiC外延晶片的表面檢查；
PL檢查工序，在所述表面檢查工序之后，對包含通過所述表面檢查檢測出的缺陷的區域照射激發光，進行光致發光測定；以及
判定工序，根據通過所述表面檢查檢測出的表面缺陷像以及通過所述PL檢查工序檢測出的PL缺陷像，判定所述缺陷的程度，
在所述PL檢查工序中，在進行發光的發光部的亮度S與不發光的非發光部的發光強度N之比為2.0以上且小于4.0的情況下，將在所述評價工序中進行了評價的所述缺陷判斷為不良。
2.根據權利要求1所述的SiC器件的制造方法，還包括：
耐壓測定工序，在所述評價工序之后，對所制作的各SiC器件施加電壓，進行耐壓測定。
3.一種SiC器件的評價方法，包括評價工序，
所述評價工序包括：
表面檢查工序，進行SiC外延晶片的表面檢查；
PL檢查工序，對SiC外延晶片的表面照射激發光，進行光致發光測定；以及
判定工序，根據通過所述表面檢查檢測出的表面缺陷像以及通過所述PL檢查工序檢測出的PL缺陷像，判定缺陷的程度，
在所述PL檢查工序中，在進行發光的發光部的亮度S與不發光的非發光部的發光強度N之比為2.0以上且小于4.0的情況下，將在所述評價工序中進行了評價的所述缺陷判斷為不良。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
