[發明專利]一種GT35球碗零件內表面沉積TiN厚膜的工藝方法

在審

• 申請號: 201910571574.7
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN112144012A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 畢新儒;趙顯偉;李文卓;馬培培
• 申請（專利權）人: 陜西航天時代導航設備有限公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/06;C23C14/54
• 代理公司: 寶雞市新發明專利事務所 61106
• 代理人: 席樹文

1.一種GT35球碗零件內表面沉積TiN厚膜的工藝方法，其特征在于，將零件置于真空爐內加抽真空并加熱，之后向真空爐內通入氬氣對球碗零件內表面進行氬離子刻蝕，氬離子刻蝕完成后啟動靶材對刻蝕后的球碗零件內表面鍍打底層，打底層將球碗零件內表面全覆蓋后通入飽和量的氮氣并開啟鈦靶沉積氮化鈦層，該氮化鈦層由多次沉積完成，每次沉積前對上一次沉積的氮化鈦層實施氬離子刻蝕處理，每次氮化鈦層沉積厚度不超過5μm，每次氬離子刻蝕厚度不超過1μm，直到氮化鈦層達到預定厚度即可冷卻出爐。

2.根據權利要求1所述的一種GT35球碗零件內表面沉積TiN厚膜的工藝方法，其特征在于：鍍打底層時采用鈦或鉻作為靶材。

3.根據權利要求1或2所述的一種GT35球碗零件內表面沉積TiN厚膜的工藝方法，其特征在于：氬離子刻蝕、鍍打底層、沉積氮化鈦層時爐內溫度保持在360～400℃。

4.根據權利要求3所述的一種GT35球碗零件內表面沉積TiN厚膜的工藝方法，其特征在于：氬離子刻蝕時弧電電流為10A弧電電壓為200V，鍍打底層時弧電電流為60A弧電電壓為20V，沉積氮化鈦層時弧電電流為80A弧電電壓為20V。

5.根據權利要求4所述的一種GT35球碗零件內表面沉積TiN厚膜的工藝方法，其特征在于：通入氬氣量和氮氣量由爐內壓控制，初始爐內壓為4×10^-5mbar，對零件表面氬離子刻蝕時爐內壓為8×10^-2mbar，對氮化鈦層氬離子刻蝕時爐內壓為5×10^-2mbar，鍍打底層時爐內壓為3×10^-2mbar，沉積氮化鈦層時爐內壓為3×10^-2mbar。