[發明專利]一種低介電常數LTCC材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201910570612.7
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN110436894B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 洪國志;聶敏;劉劍
• 申請（專利權）人: 深圳順絡電子股份有限公司
• 主分類號: C04B35/10
• 分類號: C04B35/10;C04B35/14;C03C3/089
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 劉莉

1.一種低介電常數LTCC材料，其特征在于：按照以下各組分的質量百分比稱量后制備而成：35％～60％的納米級陶瓷粉和40％～65％的鋇玻璃粉；其中所述鋇玻璃粉為以下質量百分比的各組分：12％～15％的B₂O₃、48％～50％的SiO₂、7％～15％的BaO、13％～15％的CaO、2％～7％的TiO₂、8％～13％的SrO、0＜K₂O≤7％、0＜ZrO₂≤2％、0＜Na₂O≤2％和0＜MgO≤2％；所述納米級陶瓷粉為納米Al₂O₃或納米SiO₂，所述納米級陶瓷粉的粒徑在100nm～150nm之間，所述鋇玻璃粉具有很好的穩定性，在燒結時玻璃軟化，粘度下降，利用液相傳質來降低材料的燒結溫度。

2.一種權利要求1所述的低介電常數LTCC材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：按所述鋇玻璃粉中各組分的質量百分比計算稱重各組分，依次進行混合、熔煉、淬冷、研磨、烘干過篩；

S2：按照質量百分比稱取35％～60％的納米級陶瓷粉和40％～65％的步驟S1制備得到的所述鋇玻璃粉，然后混合、烘干，并將烘干所得的粉料造粒，壓制成型，然后燒結得到低介電常數LTCC材料。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的混合為干式均勻混合。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的熔煉是在1100℃～1300℃下進行，并保溫1～3h。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的淬冷具體為：將熔煉后的玻璃液倒入20～35℃的去離子水中進行淬冷。

6.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的研磨和烘干過篩具體為：將淬冷后的玻璃、去離子水和研磨球加入研磨罐中進行磨細研磨，并烘干過30目或60目篩。

7.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：將按照質量百分比稱取的35％～60％的納米級陶瓷粉和40％～65％的所述鋇玻璃粉與去離子水、研磨球加入到研磨罐中，進行混合研磨至粒徑0.5～0.6μm，并烘干，并將烘干所得的粉料進行造粒、壓制成型后，在830℃～880℃下燒結并保溫0.5～1h，得到低介電常數LTCC材料。