[發明專利]太赫茲電控諧振切換式超表面相移裝置

有效

• 申請號: 201910568565.2
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN110444889B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 蘭峰;尹婧;王祿煬;曾泓鑫;羅峰;楊梓強;史宗君
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01Q3/36
• 分類號: H01Q3/36;H01Q15/00
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所(普通合伙) 51215
• 代理人: 劉勛

1.太赫茲電控諧振切換式超表面相移裝置，其特征在于，包括自下而上逐層設置的金屬底板、介質基板和相移結構層，

所述相移結構層包括以M×N正交陣列方式設置的相移單元，每個相移單元包括一個矩形開口諧振環，諧振環的開口位于其所在邊的中點位置，在諧振環的開口處，諧振環的的兩個端點各自與一個長方形金屬條連接，連接點位于長方形金屬條的長邊的中心，長方形金屬條長邊垂直于開口所在的諧振環的邊；在開口處的兩個長方形金屬條之間，介質基板的上表面設置有歐姆貼片，在歐姆貼片上方設置有摻雜異質線，摻雜異質線與兩個長方形金屬條平行且等距，M、N皆為大于2的整數；

在相移單元陣列中，每一列相移單元的兩側皆沿列線方向分別設置有一條陰極引出線和一條陽極引出線，每一列相移單元皆位于對應于該列的陰極引出線和陽極引出線之間；

各列中，相移單元的摻雜異質線連接至該列的陽極引出線，開口諧振環連接至該列的陰極引出線；

各陰極引出線皆與同一根陰極總線連接，陰極總線具有一個外部陰極連接端；各陽極引出線彼此獨立。

2.如權利要求1所述的太赫茲電控諧振切換式超表面相移裝置，其特征在于，摻雜異質線的材料為下述材料之任一：AlGaN、GaN、InGaN、GaN、AlGaAs、GaAs。

3.如權利要求1所述的太赫茲電控諧振切換式超表面相移裝置，其特征在于，介質基板的材質為基板為下述材料之任一：藍寶石、高阻硅、InP、GaAs、碳化硅。