[發明專利]堆疊結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201910568294.0
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN112153799A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 曾子章;楊凱銘;林溥如;柯正達;陳裕華
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/11;H05K3/32;H05K3/36;H05K3/46
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

本發明公開了一種堆疊結構，包含：電路板、電子構件、金屬核體以及絕緣包覆層。電路板包含線路層、介電層、圖案化種子層及第一接合墊。介電層設置于線路層上。介電層具有多個開口裸露出部分線路層。圖案化種子層設置于線路層由所述開口裸露出的表面上及介電層的開口的側壁上。第一接合墊設置于圖案化種子層上。電子構件包含與第一接合墊相對設置的第二接合墊。金屬核體實體連接對應的第一接合墊及第二接合墊。金屬核體具有夾置于第一接合墊與第二接合墊之間的曲面。絕緣包覆層彼此分離，且覆蓋金屬核體的曲面。進行熱壓接合時，絕緣包覆層會橫向流動而包覆電性連接結構的外側表面，達到保護接點的功能，進而提升組件組裝可靠度。

技術領域

本發明涉及印制電路板技術領域，特別是涉及一種堆疊結構及堆疊結構的制造方法。

背景技術

隨著集成電路芯片及各種電子產品不斷往更小的尺寸發展，電子產品中不同電子組件之間的電連接也因此往更小的維度發展。微米或納米等級的連接墊被廣泛地使用在各種電子產品的部件中，微米或納米等級連接墊之間的接合變的非常重要，因為接合的質量直接影響最終電子產品的性能、質量和可靠度。當接合的尺度縮小的同時，制造過程的良率也較容易受到各種外在因素的干擾。舉例來說，若使用銅對銅接合細微間距組件，接合前可能面臨銅面氧化的瓶頸，使得接合后接點間產生空隙，進而影響細微間距組件組裝的可靠度。

有鑒于此，目前急需一種更佳的細微間距組件的組裝方法，以改上述問題。

發明內容

本發明的主要目的在于，提供一種堆疊結構及其制造方法，以解決微米或納米等級連接墊直接結合容易受到外在因素干擾，而最終影響電子產品的性能、質量及可靠度的問題。

本發明的一實施例提供一種堆疊結構。此堆疊結構包含第一電路板、電子構件、多個金屬核體以及多個絕緣包覆層。第一電路板包含多個第一接合墊。電子構件包含與所述多個第一接合墊相對設置的多個第二接合墊。各金屬核體實體連接所述多個第一接合墊中所對應的一個以及所述多個第二接合墊中所對應的一個。各金屬核體具有曲面，各曲面夾置于對應的第一接合墊與對應的第二接合墊之間。所述多個絕緣包覆層彼此分離，且覆蓋所述多個金屬核體的所述多個曲面。

在某些實施方式中，絕緣包覆層包含絕緣高分子材料或絕緣納米接合材料。

在某些實施方式中，第一電路板還包含第一線路層、設置于第一線路層上的第一介電層以及第一圖案化種子層，其中第一介電層具有多個第一開口，以裸露部分第一線路層，第一圖案化種子層設置于第一線路層由所述多個第一開口裸露出的表面及第一介電層的所述多個第一開口的側壁上。

在某些實施方式中，第一圖案化種子層及第一接合墊未填滿第一開口，使各第一開口存在剩余空間，其中各金屬核體填滿各剩余空間。

在某些實施方式中，各第一接合墊包含位在各第一開口內的第一部分以及由第一部分延伸到第一介電層上方的第二部分。

在某些實施方式中，絕緣包覆層覆蓋第一接合墊的第二部分。

在某些實施方式中，電子構件還包含具有多個第二開口的第二介電層，各第二接合墊包含位于各第二開口內的第一部分以及由第一部分延伸到第二介電層上的第二部分。

在某些實施方式中，絕緣包覆層層覆蓋第二接合墊的第二部分。

在某些實施方式中，各曲面由各第一接合墊的各第二部分連續地延伸到各第二接合墊的各第二部分。

在某些實施方式中，第一接合墊的材質為多孔銅(Porous Copper)。

本發明另一實施例提供一種堆疊結構的制造方法，此方法包含：(i)提供第一電路板，第一電路板包含多個第一接合墊；(ii)在各第一接合墊上配置核殼體，其中各核殼體包含金屬核體以及包覆金屬核體的絕緣保護層；以及(iii)將電子構件的多個第二接合墊熱壓接合至第一接合墊上的核殼體，使金屬核體實體連接第二接合墊及第一接合墊。