[發明專利]一種光刻檢查圖形結構及光刻檢查方法

有效

• 申請號: 201910565494.0
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN112147856B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 夏得陽
• 申請（專利權）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;H01L21/027
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

1.一種光刻檢查圖形結構，其特征在于，所述結構至少包括對位游標圖形，所述游標圖形包括第一層次對位圖形和第二層次對位圖形；

所述第一層次對位圖形作為形成于第一層的圖案的對位標記，所述第一層次對位圖形為依次排列的N個相互間隔的第一刻度圖案，每個相鄰的所述第一刻度圖案的中線的間距相同，其中N＝2n+1，其中n為正整數；

所述第二層次對位圖形作為形成于第二層的圖案的對位標記，所述第二層次對位圖形為依次排列的N個相互間隔的第二刻度圖案；

且自所述第二層次對位圖形一側最邊緣處的第1個所述第二刻度圖案至所述第二層次對位圖形的第n+1個所述第二刻度圖案，每個相鄰的所述第二刻度圖案的中線的間距依次增加一公差間距；自所述第二層次對位圖形的第n+1個所述第二刻度圖案至所述第二層次對位圖形的另一側最邊緣處的第2n+1個所述第二刻度圖案，每個相鄰的所述第二刻度圖案的中線的間距依次減少一所述公差間距；或

自所述第二層次對位圖形一側最邊緣處的第1個所述第二刻度圖案至所述第二層次對位圖形的第n+1個所述第二刻度圖案，每個相鄰的所述第二刻度圖案的中線的間距依次乘以一公比增加；自所述第二層次對位圖形的第n+1個所述第二刻度圖案至所述第二層次對位圖形的另一側最邊緣處的第2n+1個所述第二刻度圖案，每個相鄰的所述第二刻度圖案的中線的間距依次除以一所述公比減少。

2.根據權利要求1所述的光刻檢查圖形結構，其特征在于所述第一刻度圖案和所述第二刻度圖案為矩形圖案。

3.根據權利要求2所述的光刻檢查圖形結構,其特征在于，所述第一刻度圖案的寬度與所述第二刻度圖案的寬度不同。

4.根據權利要求2所述的光刻檢查圖形結構,其特征在于，所述第一刻度圖案的寬度與所述第二刻度圖案的長度不同。

5.根據權利要求2所述的光刻檢查圖形結構,其特征在于，每個所述第一刻度圖案的寬度和/或長度不同或相同。

6.根據權利要求2所述的光刻檢查圖形結構,其特征在于，每個所述第二刻度圖案的寬度和/或長度不同或相同。

7.根據權利要求5所述的光刻檢查圖形結構,其特征在于，每個所述第二刻度圖案的寬度和/或長度不同或相同。

8.一種光刻檢查圖形結構，其特征在于，所述結構至少包括對位游標圖形，所述游標圖形包括第一層次對位圖形和第二層次對位圖形；

所述第一層次對位圖形作為形成于第一層的圖案的對位標記，所述第一層次對位圖形為依次排列的N個相互間隔的第一刻度圖案，每個相鄰的所述第一刻度圖案的中線的間距相同，其中N＝2n，其中n為正整數；

所述第二層次對位圖形作為形成于第二層的圖案的對位標記，所述第二層次對位圖形為依次排列的N個相互間隔的第二刻度圖案；

且自所述第二層次對位圖形一側最邊緣處的第1個所述第二刻度圖案至所述第二層次對位圖形的第n個所述第二刻度圖案，每個相鄰的所述第二刻度圖案的中線的間距依次增加一公差間距；自所述第二層次對位圖形的第n+1個所述第二刻度圖案至所述第二層次對位圖形的另一側最邊緣處的第2n個所述第二刻度圖案，每個相鄰的所述第二刻度圖案的中線的間距依次減少一所述公差間距；或

自所述第二層次對位圖形一側最邊緣處的第1個所述第二刻度圖案至所述第二層次對位圖形的第n個所述第二刻度圖案，每個相鄰的所述第二刻度圖案的中線的間距依次乘以一公比增加；自所述第二層次對位圖形的第n+1個所述第二刻度圖案至所述第二層次對位圖形的另一側最邊緣處的第2n個所述第二刻度圖案，每個相鄰的所述第二刻度圖案的中線的間距依次除以一所述公比減少。

9.根據權利要求8所述的光刻檢查圖形結構，其特征在于所述第一刻度圖案和所述第二刻度圖案為矩形圖案。

10.根據權利要求9所述的光刻檢查圖形結構,其特征在于，所述第一刻度圖案的寬度與所述第二刻度圖案的寬度不同。