[發明專利]一種磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201910564768.4
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN110289349B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 張憲民;阮劉霞;秦高梧
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: H01L43/10
• 分類號: H01L43/10;H01L43/12;H01L43/08
• 代理公司: 沈陽東大知識產權代理有限公司 21109
• 代理人: 寧佳

1.一種磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜的制備方法，其特征在于，所述的復合金屬酞菁薄膜由磁性金屬酞菁和非磁性金屬酞菁復合而成，所述的磁性金屬酞菁為過渡族金屬酞菁或稀土金屬酞菁中的一種，所述的非磁性金屬酞菁為過渡族金屬酞菁或稀土金屬酞菁中的一種，復合金屬酞菁薄膜中厚度比為磁性金屬酞菁：非磁性金屬酞菁=(9~1)：(1~5)；

所述的方法包括步驟如下：

(1)取磁性金屬酞菁粉末和非磁性金屬酞菁粉末，分別放置于有機蒸發薄膜設備的兩個蒸發坩堝中；

(2)取襯底，經表面超聲預處理后，獲得表面潔凈襯底；

(3)采用有機熱蒸發薄膜設備，在表面潔凈襯底表面進行金屬酞菁蒸發，設置兩個蒸發坩堝的蒸發溫度，以控制兩種金屬酞菁的蒸發速率，磁性金屬酞菁與非磁性金屬酞菁的蒸發速率比為(9~1)：(1~5)，并控制非磁性酞菁蒸發溫度，使得其蒸發速率在0.02~0.1埃/秒之間，根據目標比例，控制磁性酞菁蒸發速率，制得磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜，所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜厚度比例范圍為 磁性酞菁：非磁性酞菁=(9~1)：(1~5)。

2.根據權利要求1所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜的制備方法，其特征在于，所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜中的金屬元素為3d過渡金屬元素或鑭系元素中的一種，其中：

3d過渡金屬元素具體為Sc，Ti， V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu或Zn；

鑭系金屬元素具體為La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb或Lu。

3.根據權利要求1所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜的制備方法，其特征在于，所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜中的磁性金屬酞菁為酞菁鉻、酞菁錳、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁釓、酞菁鋱、酞菁鏑、酞菁鈥、酞菁鉺、酞菁銩，其余為非磁性金屬酞菁。

4.根據權利要求1所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜的制備方法，其特征在于，所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜厚度為10~100nm。

5.根據權利要求1所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜的制備方法，其特征在于，所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜，經測試，單個磁性酞菁分子飽和磁矩磁性為3~ 12μ_B，測試溫度為2K，外磁場為30kOe。

6.根據權利要求1所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜的制備方法，其特征在于，所述的步驟(2)中，襯底為鉑(111)、金(111)、銅(111)、碳六十、鋁或石英玻璃。

7.根據權利要求1所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜的制備方法，其特征在于，所述的步驟(3)中，有機熱蒸發設備的真空度1.0×10^-5Pa。

8.根據權利要求1所述的磁性可調控的復合金屬酞菁薄膜的制備方法，其特征在于，所述的步驟(3)中，蒸發時間為10~60 min，蒸發溫度為360~480℃。