[發(fā)明專利]低散斑激光陣列及包含低散斑激光陣列的影像顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910563333.8
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110646946B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 巴多拉帕斯·巴布·達亞爾
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: G02B27/48
• 分類號: G02B27/48;H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343;H01S5/42
• 代理公司: 北京泰吉知識產(chǎn)權代理有限公司 11355
• 代理人: 史瞳;謝瓊慧

1.一種垂直共振腔面射型激光裝置，包含基板、設置在該基板上的第一摻雜型分布式布拉格反射件、連接該基板的第一電極、設置在第一摻雜型分布式布拉格反射件上的活化層、設置在該活化層上的第二摻雜型分布式布拉格反射件、形成在該第二摻雜型分布式布拉格反射件的頂面上且具有表面浮凸缺口的表面浮凸層、形成在該第二摻雜型分布式布拉格反射件內(nèi)且位于該表面浮凸層及該活化層間的限制件，及設置在該表面浮凸層上的第二電極，其特征在于：

該表面浮凸層的表面浮凸缺口的直徑范圍為1.0-6.0μm；該限制件定義出一個開口，且該開口的開口直徑范圍為3.0-15μm，并用于供由該活化層所產(chǎn)生的激光束通過；該第二電極為具有內(nèi)徑范圍為8-17μm的環(huán)形p-接觸金屬；該第一摻雜型分布式布拉格反射件的上部、該活化層及該第二摻雜型分布式布拉格反射件形成一個臺面結構，且該臺面結構是由該第一摻雜型分布式布拉格反射件的上部至該第二摻雜型分布式布拉格反射件逐漸變尖；該臺面結構的底部臺面直徑范圍為16-48μm；該臺面結構的底部臺面直徑是大于該開口的開口直徑，且該開口的開口直徑是小于該第二電極的內(nèi)徑，而該第二電極的內(nèi)徑大于該表面浮凸層的表面浮凸缺口的直徑；該表面浮凸層的厚度為該激光束的波長的n/4倍，且該n為正偶數(shù)。

2.根據(jù)權利要求1所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：該限制件是由離子注入半導體材料所制成，且該離子注入半導體材料中的離子選自于氫離子、氦離子、氧離子，或上述任意的組合，而該離子注入半導體材料中的半導體材料為AlGaAs/GaAs多層堆疊。

3.根據(jù)權利要求2所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：該半導體材料是由AlxGa1-xAs/GaAs多層堆疊經(jīng)濕式氧化方式所制得，而x為0.98-1.0。

4.根據(jù)權利要求1所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：該第二電極位于該基板的底部。

5.根據(jù)權利要求1所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：該活化層包括量子阱層，且該量子阱層的厚度為2nm至12nm并包括GaAs量子阱及InxGaAs量子阱，而x為0.02至0.35。

6.根據(jù)權利要求5所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：該活化層還包括分別連接該量子阱層的兩相反側(cè)的兩層阻障層，每一層阻障層是由AlxGa1-xAs所制成，而x為0-1；每一層阻障層是由AlxGa1-xAs、GaAs1-yPy或GaAs所制成，而x為0.15-0.4，y為0.15-0.3。

7.根據(jù)權利要求6所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：該活化層還包括兩層分離限制異質(zhì)結構層，所述分離限制異質(zhì)結構層分別連接在該量子阱層的兩相反側(cè)上的所述阻障層，且每一分離限制異質(zhì)結構層是由AlxGa1-xAs所制成，而x為0至1，每一阻障層是由AlxGa1-xAs、GaAs1-yPy或GaAs所制成，而x為0.15至0.4，y為0.15至0.3。

8.根據(jù)權利要求7所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：每一分離限制異質(zhì)結構層的厚度范圍為4nm至120nm，且每一分離限制異質(zhì)結構層為梯度折射分離限制異質(zhì)結構層，而該梯度折射分離限制異質(zhì)結構層是由AlxGaAs所制成，而x為0.15至0.75。

9.根據(jù)權利要求1所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：該表面浮凸層是一層摻雜層，且該摻雜層的摻雜濃度高于該第二摻雜型分布式布拉格反射件的摻雜濃度。

10.根據(jù)權利要求1所述的垂直共振腔面射型激光裝置，其特征在于：該基板是n型GaAs基板或半絕緣GaAs基板。