[發明專利]一種高填充因子的紅外探測器結構

有效

• 申請號: 201910560491.8
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110361096B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 康曉旭
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: G01J5/10
• 分類號: G01J5/10
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;張磊

1.一種高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，自下而上包括：位于第一層的半導體襯底，位于第二層的第一導電梁和第二導電梁，以及位于第三層的微橋橋面；所述第一導電梁和第二導電梁分設有第一連接端和第二連接端，所述第一導電梁的第一連接端下表面和第二導電梁的第一連接端下表面分別通過一個第一導電支撐柱連接所述半導體襯底的上表面，所述第一導電梁的第二連接端上表面和第二導電梁的第二連接端上表面分別通過一個第二導電支撐柱連接所述微橋橋面的下表面，其中，

所述第一導電梁相對于所述第二導電梁沿第一方向并排平行設置，各所述第一連接端之間相對于所述半導體襯底呈對角設置，且各所述第二連接端相對于對應的所述第一連接端垂直于所述第一方向設置。

2.根據權利要求1所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述第一導電梁和第二導電梁位于所述微橋橋面的下方以內區域。

3.根據權利要求1所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述第一導電梁和第二導電梁在水平方向上具有重復的轉折結構。

4.根據權利要求1所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述微橋橋面設有用于紅外感光的紅外吸收與敏感層，所述紅外吸收與敏感層連接所述第二導電支撐柱。

5.根據權利要求4所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述紅外吸收與敏感層通過第一金屬電極層連接所述第二導電支撐柱。

6.根據權利要求5所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述紅外吸收與敏感層和第一金屬電極層的表面覆蓋有釋放保護層。

7.根據權利要求5所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述第一導電梁和第二導電梁分設有第二金屬電極層，所述第二金屬電極層分別連接所述第一導電支撐柱和第二導電支撐柱。

8.根據權利要求7所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述第一導電支撐柱和第二導電支撐柱分設有第三金屬電極層，所述第一金屬電極層、第二金屬電極層和第三金屬電極層相連接。

9.根據權利要求8所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述第二金屬電極層的表面覆蓋有釋放保護層，所述第三金屬電極層的外側包覆有介質層。

10.根據權利要求1所述的高填充因子的紅外探測器結構，其特征在于，所述第一導電支撐柱和/或第二導電支撐柱為垂直向上的柱狀結構，或者為傾斜向上的導電支撐梁結構。