[發明專利]半導體存儲器件

在審

• 申請號: 201910559540.6
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110676255A
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 秋成旼;權赫宇;金長燮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L49/02;H01L21/8242
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 翟然

半導體存儲器件包括：下電極，每個下電極圍繞內部空間；位于下電極的頂表面上的上支撐層，上支撐層位于由下電極圍繞的內部空間中；在上支撐層上的上電極，上電極填充第一區域和第二區域，第二區域穿透上支撐層，并且第一區域從第二區域延伸到下電極之間。每個下電極包括：與第二區域垂直交疊的第一部分，第一部分的頂表面由上支撐層暴露；由上支撐層覆蓋的第二部分，第二部分的頂表面與上支撐層接觸。

技術領域

實施方式涉及半導體存儲器件，更具體地，涉及具有改善的電特性的半導體存儲器件。

背景技術

電子工業(例如，便攜式電話和筆記本)中越來越需要輕、小、高速、多功能、高性能、高可靠性和低價格的電子元件。為了滿足這些要求，可能需要增加半導體存儲器件的集成密度。另外，可能需要提高半導體存儲器件的性能。

可以增加電容器的電容以提高包括電容器的高度集成的半導體存儲器件的可靠性。例如，隨著電容器的下電極的高寬比增加，電容器的電容可以增加。因此，對形成具有高高寬比的電容器的工藝技術進行了各種研究。

發明內容

在一個方面，半導體存儲器件可以包括下電極、設置在下電極的頂表面上的上支撐層、以及設置在上支撐層上并填充穿透上支撐層的第一區域和從第一區域延伸到下電極之間的第二區域的上電極。每個下電極可以包括與第一區域交疊的第一部分以及由上支撐層覆蓋的第二部分。第一部分的頂表面可以通過上支撐層暴露，并且第二部分的頂表面可以與上支撐層接觸。上支撐層可以設置在由每個下電極圍繞的內部空間中。

在一個方面，半導體存儲器件可以包括下電極、設置在下電極的頂表面上的上支撐層、以及設置在上支撐層上并填充穿透上支撐層的第一區域和從第一區域延伸到下電極之間的第二區域的上電極。每個下電極可以包括與第一區域交疊的第一部分以及由上支撐層覆蓋的第二部分。第一部分可以不與上支撐層垂直交疊，并且第二部分可以與上支撐層垂直交疊。上支撐層可以設置在由每個下電極圍繞的內部空間中。

在一個方面，半導體存儲器件可以包括下電極、設置在下電極的頂表面上的上支撐層、以及設置在上支撐層上并填充穿透上支撐層的第一區域和從第一區域延伸到下電極之間的第二區域的上電極。每個下電極可以包括與第一區域交疊的第一部分以及由上支撐層覆蓋的第二部分。第一部分的外側壁可以與上支撐層間隔開，并且第二部分的外側壁可以與上支撐層接觸。上支撐層可以設置在由每個下電極圍繞的內部空間中。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例性實施方式，特征對于本領域技術人員將變得顯而易見，其中：

圖1示出了根據一些實施方式的半導體存儲器件的平面圖。

圖2示出了沿圖1中的線I-I'的截面圖。

圖3示出了根據一些實施方式的半導體存儲器件的對應于圖1的線I-I'的截面圖。

圖4至圖9示出了根據一些實施方式的制造半導體存儲器件的方法中的多個階段的對應于圖1的線I-I'的截面圖。

圖10至圖15示出了根據一些實施方式的制造半導體存儲器件的方法中的多個階段的對應于圖1的線I-I'的截面圖。

具體實施方式

圖1是示出根據一些實施方式的半導體存儲器件的平面圖，例如，動態隨機存取存儲器(DRAM)。圖2是沿圖1的線I-I'截取的截面圖，示出了根據一些實施方式的半導體存儲器件。