[發明專利]電壓調控的二硒化錸納米片太赫茲偏振調制器件

有效

• 申請號: 201910558232.1
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN110297337B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 柴路;宋琦;劉偉寧;馬慶;栗巖鋒;胡明列
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 劉國威

1.一種電壓調控的二硒化錸納米片太赫茲偏振調制器件，其特征是，包括：ReSe₂納米片、附加電極、主動控制直流電源、線性偏振的THz源、THz二分之一波片；所述的ReSe₂納米片為在玻璃基片上采用液相剝離方法或者化學氣相沉積CVD方法制備，形成單分子層或者少分子層的結構，其平面內Re鏈的方向標記為a軸，自然節理面方向標記為b軸；所述的附加電極材料為摻錫氧化銦、金或銀，沿a軸方向在ReSe₂納米片兩側設置電極；

所述的主動控制直流電源在附加電極之間施加電控所需的直流電壓與任意波形；

所述的線性偏振的THz源為任意THz發射器經過THz偏振器進行輸出；

沿a軸方向在ReSe₂納米片兩側設置電極；該器件垂直面向入射THz波方向放置，THz偏振器輸出脈沖經過THz二分之一波片，后經過拋物面鏡對的擴束、準直和聚焦，入射到ReSe₂納米片，調整THz二分之一波片使入射THz波的線偏振方向與電極方向即ReSe₂納米片a軸方向平行；通過ReSe₂納米片出射的THz波，經過THz偏振器檢偏出最大出射THz波，并由Golay-cell或THz時域頻譜儀探測出射THz波功率或THz電場振幅或頻譜；在主動電壓調制過程中，采用主動控制直流電源，在ReSe₂納米片電極之間施加調制所需的調制波形電壓，通過改變ReSe₂納米片中的載流子數量和流向，以及施加電壓對ReSe₂分子束縛鍵應力的調制，實現對穿過ReSe₂納米片的THz波偏振或強度的主動調制；如果在ReSe₂納米片的電極之間施加正、負突變電壓，即可實現最大調制度，后面加入與非門電路，即可實現THz開關器件。

2.如權利要求1所述的電壓調控的二硒化錸納米片太赫茲偏振調制器件，其特征是，采用探測器為THz功率探測器與THz時域頻譜儀，檢測經過ReSe₂納米片電壓調制后的THz強度、電場振幅和頻譜。