[發(fā)明專利]超薄柔性硅太陽電池制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910557480.4 | 申請日: | 2019-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN111916510A | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳賢剛;楊苗;徐希翔 | 申請(專利權(quán))人: | 君泰創(chuàng)新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18;C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662 | 代理人: | 孟德棟 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)亦*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 超薄 柔性 太陽電池 制備 方法 | ||
1.一種超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于:包括:
提供硅片;
將所述硅片浸入化學(xué)溶液中進(jìn)行表面拋光,形成拋光硅片;
將所述拋光硅片浸入堿液和掩膜顆粒的懸浮液中,進(jìn)行化學(xué)制絨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述化學(xué)溶液為KOH或NaOH溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述化學(xué)溶液為HNO3和HF的混合溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述將所述硅片浸入化學(xué)溶液中進(jìn)行表面拋光為兩步:
提供所述硅片浸入到所述化學(xué)溶液為KOH或NaOH溶液中,形成堿拋光硅片;
提供所述堿拋光硅片浸入到所述化學(xué)溶液為HNO3和HF的混合溶液中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述將所述硅片浸入化學(xué)溶液中進(jìn)行表面拋光為兩步:
提供所述硅片浸入到所述化學(xué)溶液為HNO3和HF的混合溶液中,形成酸拋光硅片;
提供所述酸拋光硅片浸入到所述化學(xué)溶液為KOH或NaOH溶液中。
6.根據(jù)權(quán)利要求2、4、5中任意一項所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述的KOH或NaOH溶液的質(zhì)量濃度為10%~30%。
7.根據(jù)權(quán)利要求2、4、5中任意一項所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述KOH或NaOH溶液的溫度為60℃~90℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求2、4、5中任意一項所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述KOH或NaOH溶液參與拋光的反應(yīng)時間為10min~40min。
9.根據(jù)權(quán)利要求3、4、5中任意一項所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述HNO3和HF的混合溶液中HNO3:HF的質(zhì)量比為20:1~200:1。
10.根據(jù)權(quán)利要求3、4、5中任意一項所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述HNO3和HF的混合溶液的溫度為8℃~35℃。
11.根據(jù)權(quán)利要求3、4、5中任意一項所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述HNO3和HF的混合溶液參與拋光的反應(yīng)時間時間為10min~60min。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任意一項所述超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述化學(xué)制絨中,所述堿液為KOH或NaOH溶液。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于:所述KOH或NaOH溶液的質(zhì)量濃度為0.5%~5%。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于:所述KOH或NaOH溶液的溫度為60℃~90℃。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-14任意一項所述超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述化學(xué)制絨的時間為5min~25min。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-15任意一項所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,所述硅片的厚度為小于90μm。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-16任意一項所述的超薄柔性硅太陽電池制備方法,其特征在于,掩膜顆粒的質(zhì)量濃度為2%~10%。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





