[發明專利]一種BaZr0.35Ti0.65O3外延薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201910556522.2
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN110257788B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 馬春蕊;劉明;喬文婧
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 李鵬威

1.一種BaZr_0.35Ti_0.65O₃外延薄膜，其特征在于，包括Nb:SrTiO₃基片、BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜和摻雜了SiO₂的BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜，BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜設置于Nb:SrTiO₃基片表面，摻雜了SiO₂的BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜設置于BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜表面；以質量百分數計，摻雜了SiO₂的BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜中，SiO₂的摻雜量為1％。

2.根據權利要求1所述的一種BaZr_0.35Ti_0.65O₃外延薄膜，其特征在于，Nb:SrTiO₃基片為(001)取向生長的單晶Nb:SrTiO₃基片。

3.根據權利要求1所述的一種BaZr_0.35Ti_0.65O₃外延薄膜，其特征在于，BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜和摻雜了SiO₂的BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜的厚度相同，均為390～400nm。

4.一種制備BaZr_0.35Ti_0.65O₃外延薄膜的方法，其特征在于，包括如下過程：

分別采用BaZr_0.35Ti_0.65O₃陶瓷靶材和摻雜了SiO₂的BaZr_0.35Ti_0.65O₃陶瓷靶材，依次在Nb:SrTiO₃基片表面通過磁控濺射制備BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜和摻雜了SiO₂的BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜，得到所述BaZr_0.35Ti_0.65O₃外延薄膜；

以質量百分數計，摻雜了SiO₂的BaZr_0.35Ti_0.65O₃薄膜中，SiO₂的摻雜量為1％。