[發(fā)明專利]偏光結(jié)構(gòu)、3D顯示裝置及3D顯示系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910554337.X
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN110166763B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周波;宋勇志
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H04N13/337
• 分類號: H04N13/337;H04N13/398;G02F1/1343
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

本發(fā)明涉及一種偏光結(jié)構(gòu)，包括晶體基材和設(shè)置于所述晶體基材相對的兩個表面的第一電極和第二電極，所述第一電極為面狀電極，所述第二電極由間隔且陣列式分布的多個第一子電極和多個第二子電極；還包括具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)的控制單元，在所述第一狀態(tài)下，對所述第一電極和所述第一子電極施加第一電壓，使得所述晶體基材的折射率改變以使得入射光偏轉(zhuǎn)為第一偏振光；在所述第二狀態(tài)下，對所述第一電極和所述第二子電極施加第二電壓，使得所述晶體基材的折射率改變以使得入射光偏轉(zhuǎn)為第二偏振光。本發(fā)明還涉及一種3D顯示裝置及3D顯示系統(tǒng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示產(chǎn)品制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種偏光結(jié)構(gòu)、3D顯示裝置及3D顯示系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在3D顯示領(lǐng)域，LG公司FPR(Film Patterned Retarder)技術(shù)占據(jù)了廣泛的市場份額，其顯示原理為在現(xiàn)有顯示器件和觀看者之間加貼一層FPR，F(xiàn)PR將顯示器件列方向透過的偏振光周期性的轉(zhuǎn)換為左旋偏振光和右旋偏振光，觀看者會佩戴左右鏡片分別允許左旋偏振光和右旋偏振光通過的眼鏡，這樣左眼和右眼分別收到不同的顯示效果，在大腦中形成3D顯示。

在現(xiàn)在有的FPR顯示技術(shù)中，F(xiàn)PR的使得入射光偏轉(zhuǎn)不同方向的效果主要是由液晶+配向膜來實現(xiàn)，其制程主要有以下幾步：配向膜Coating→配向膜干燥→Pattern(圖案)紫外曝光→液晶涂布→干燥→紫外光極化，制程比較復(fù)雜。同時受限于液晶的特性及溫度工作范圍，在溫度變化時，特別是低溫和高溫環(huán)境下其相位差會發(fā)生變化，使形成的左旋偏振光和右旋偏振光并不純粹，易造成兩眼收到信號的串?dāng)_。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種偏光結(jié)構(gòu)、3D顯示裝置及3D顯示系統(tǒng)，解決采用FPR獲得所需的不同的偏轉(zhuǎn)方向的偏振光制程復(fù)雜且容易受限于液晶的特性的問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種偏光結(jié)構(gòu)，包括晶體基材和設(shè)置于所述晶體基材相對的兩個表面的第一電極和第二電極，所述第一電極為面狀電極，所述第二電極包括間隔排布的多個第一子電極和多個第二子電極；

還包括控制單元，所述控制單元通過控制施加于所述第一電極和所述第二電極上的電壓、以控制所述偏光結(jié)構(gòu)在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換；

其中，在所述第一狀態(tài)下，所述控制單元對所述第一電極和所述第一子電極施加第一電壓，使得所述晶體基材的折射率改變以使得入射光偏轉(zhuǎn)為第一偏振光；

在所述第二狀態(tài)下，對所述第一電極和所述第二子電極施加第二電壓，使得所述晶體基材的折射率改變以使得入射光偏轉(zhuǎn)為與所述第一偏振光的偏振方向不同的第二偏振光。

可選的，所述第一偏振光為左旋偏振光，所述第二偏振光為右旋偏振光。

可選的，所述晶體基材采用鐵電晶體材料制成。

可選的，所述鐵電晶體包括鈮酸鋰晶體。

可選的，入射光經(jīng)所述晶體基材后被分解為尋常光和非常光，所述尋常光和所述非常光的相位差由以下公式獲得：

其中，△n＝-(1/2d)r₁₃n₀³V，為所述晶體基材加電壓V時所述晶體基材相應(yīng)的區(qū)域的折射率，r₁₃是所述晶體基材的線形電光系數(shù)，λ為入射光的波長，n₀為所述晶體基材未加電壓時所述晶體基材相應(yīng)的區(qū)域的折射率，d₃₃為壓電系數(shù)，d為所述晶體基材的厚度，V為電壓。

可選的，所述控制單元對所述第一子電極和所述第一電極施加第一電壓，經(jīng)所述晶體基材與所述第一子電極對應(yīng)的區(qū)域分解形成的尋常光和非常光的相位差所述第一偏振光為左旋偏振光；