[發明專利]三態門

在審

• 申請號: 201910552730.5
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN110266305A
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 沈孫園
• 申請（專利權）人: 杭州寬?？萍加邢薰?/a>
• 主分類號: H03K19/20
• 分類號: H03K19/20;H03K19/094
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種三態門。三態門包括一反相器、一與非門、一或非門、一PMOS管和一NMOS管。當三態門的輸入端B為低電平時，輸入端A為高電平或低電平時，一PMOS管的柵極為高電平，一NMOS管的柵極為低電平，三態門的輸出端OUT為高阻態；當三態門的輸入端B為高電平時，輸入端A為低電平時，一PMOS管的柵極為高電平，一NMOS管的柵極為高電平，三態門的輸出端OUT為低電平；三態門的輸入端B為高電平時，輸入端A為高電平時，一PMOS管的柵極為低電平，一NMOS管的柵極為低電平，三態門的輸出端OUT為高電平。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，尤其涉及到三態門。

背景技術

在集成電路中需要有電路的三個狀態：高電平、低電平和高阻態；該電路在集成電路中屬于常見電路，其結構和所占芯片面積的大小會影響芯片成本。

發明內容

本發明旨在解決現有技術的不足，提供一種三態門。

三態門，包括一反相器、一與非門、一或非門、一PMOS管和一NMOS管：

所述一反相器的輸入接三態門的輸入端B和所述一與非門的一輸入端，輸出端接所述一或非門的一輸入端；所述一與非門的一輸入端接三態門的輸入端A和所述一或非門的一輸入端，另一輸入端接三態門的輸入端B和所述一反相器的輸入端，輸出端接所述一PMOS管的柵極；所述一或非門的一輸入端接三態門的輸入端A和所述一與非門的一輸入端，另一輸入端接所述一反相器的輸出端，輸出端接所述一NMOS管的柵極；所述一PMOS管的柵極接所述一與非門的輸出端，漏極接所述一NMOS管的漏極并作為三態門的輸出端OUT，源極接電源電壓VCC；所述一NMOS管的柵極接所述一或非門的輸出端，漏極接所述一PMOS管的漏極并作為三態門的輸出端OUT，源極接地。

當三態門的輸入端B為低電平時，輸入端A為高電平或低電平時，所述一PMOS管的柵極為高電平，所述一NMOS管的柵極為低電平，三態門的輸出端OUT為高阻態；當三態門的輸入端B為高電平時，輸入端A為低電平時，所述一PMOS管的柵極為高電平，所述一NMOS管的柵極為高電平，三態門的輸出端OUT為低電平；三態門的輸入端B為高電平時，輸入端A為高電平時，所述一PMOS管的柵極為低電平，所述一NMOS管的柵極為低電平，三態門的輸出端OUT為高電平。

附圖說明

圖1為本發明的三態門的電路圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明內容進一步說明。

三態門，如圖1所示，包括一反相器10、一與非門20、一或非門30、一PMOS管40和一NMOS管50：

所述一反相器10的輸入接三態門的輸入端B和所述一與非門20的一輸入端，輸出端接所述一或非門30的一輸入端；所述一與非門20的一輸入端接三態門的輸入端A和所述一或非門30的一輸入端，另一輸入端接三態門的輸入端B和所述一反相器10的輸入端，輸出端接所述一PMOS管40的柵極；所述一或非門30的一輸入端接三態門的輸入端A和所述一與非門20的一輸入端，另一輸入端接所述一反相器10的輸出端，輸出端接所述一NMOS管50的柵極；所述一PMOS管40的柵極接所述一與非門20的輸出端，漏極接所述一NMOS管50的漏極并作為三態門的輸出端OUT，源極接電源電壓VCC；所述一NMOS管50的柵極接所述一或非門30的輸出端，漏極接所述一PMOS管40的漏極并作為三態門的輸出端OUT，源極接地。