[發(fā)明專利]利用離子阻性離子可穿透元件電鍍金屬的裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910552629.X | 申請日： | 2016-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN110306224B | 公開（公告）日： | 2022-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 布哈努丁·卡加伊瓦拉;布萊恩·L·巴卡柳;蔡李鵬;亞倫·貝爾克;羅伯特·拉什;史蒂文·T·邁耶 | 申請（專利權(quán)）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分類號： | C25D7/12 | 分類號： | C25D7/12;C25D17/00;H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人： | 李獻忠;張華 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 離子 可穿透 元件 電鍍 金屬 裝置 方法 | ||
1.一種用于半導(dǎo)體襯底的電化學(xué)處理的離子阻性離子可穿透元件，其中該離子阻性離子可穿透元件允許在電化學(xué)處理期間離子電流流過該元件，包含多個直徑為0.5-1mm的通道并且其中該元件包括具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域，
其中所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域包括至少四個局部電阻率值，它們沿所述離子阻性離子可穿透元件的表面上的任何矢量增加或減少，以及
其中所述元件在所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域中具有逐漸變化的孔隙率和恒定的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子阻性離子可穿透元件，其中所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域與所述元件共同延伸，并且其中所述區(qū)域中的所述局部電阻率從所述元件的邊緣到所述元件的中心徑向減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子阻性離子可穿透元件，其中所述元件包括圍繞所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域的具有恒定局部電阻率的區(qū)域，其中所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域位于所述元件的中心部分中，并且其中所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域中的局部電阻率從與所述具有恒定局部電阻率的區(qū)域的交界面到所述元件的中心徑向減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子阻性離子可穿透元件，其中所述通道為非連通通道，所述非連通通道通過離子電阻材料制成并將所述元件的第一表面與所述元件的相對表面連接，其中所述元件允許電解質(zhì)通過所述通道移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子阻性離子可穿透元件，其中所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域具有逐漸變化的非連通通道的密度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子阻性離子可穿透元件，其中所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域具有非連通通道的直徑的逐漸變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子阻性離子可穿透元件，其中所述具有逐漸變化的局部電阻率的區(qū)域具有相對于由所述元件的第一表面限定的平面的非連通通道的傾斜角度的逐漸變化。
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