[發明專利]高深寬比溝槽的薄膜填充方法在審
| 申請號： | 201910552443.4 | 申請日： | 2019-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN112133673A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | 王雷;劉魯萍 | 申請（專利權）人： | 中電海康集團有限公司;浙江馳拓科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667 | 代理人： | 趙永剛 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高深 溝槽 薄膜 填充 方法 | ||
1.一種高深寬比溝槽的薄膜填充方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，在所述襯底上沉積被刻蝕層，在所述被刻蝕層中形成高深寬比的溝槽或通孔；
沉積第一介電層薄膜或第一金屬層薄膜，所述第一介電層薄膜或第一金屬層薄膜完全填充所述溝槽或通孔；
當所述第一介電層薄膜或第一金屬層薄膜位于所述溝槽或通孔外的部分存在空洞時，對所述第一介電層薄膜或第一金屬層薄膜位于所述溝槽或通孔外的部分進行第一次化學機械拋光、干法刻蝕或者濕法刻蝕，以去除所述空洞；
在第一次化學機械拋光、干法刻蝕或者濕法刻蝕后的界面上沉積第二介電層薄膜或第二金屬層薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進行第一次化學機械拋光時，拋光終點停止于所述被刻蝕層的表面位置。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進行第一次化學機械拋光時，拋光終點停止于所述空洞的下方位置。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在第一次化學機械拋光后的界面上沉積第二介電層薄膜或第二金屬層薄膜，包括：
當第一次化學機械拋光后的界面達到表面平坦化時，沉積目標厚度的第二介電層薄膜或第二金屬層薄膜，或者，當第一次化學機械拋光后的界面未達到表面平坦化時，沉積大于目標厚度的第二介電層薄膜或第二金屬層薄膜并進行第二次化學機械拋光，以使達到目標厚度的第二介電層薄膜或第二金屬層薄膜表面平坦化。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介電層薄膜的材料與所述第一介電層薄膜的材料不同，以形成介電組合層；或者，所述第二金屬層薄膜的材料與所述第一金屬層薄膜的材料不同，以形成金屬組合層。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽或通孔的深寬比大于3:1。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介電層薄膜和所述第二介電層薄膜的材料包括SiO2、SiN、SiC、SiCN和SiCOH中的任意一種。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層薄膜和所述第二金屬層薄膜的材料包括Ta、TaN、Ti、TiN、W、Cu和Al中的任意一種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
