[發(fā)明專利]一種半導體材料的電解拋光方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910551401.9
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN110257895B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設計）人: 魏守沖
• 申請（專利權）人: 江蘇守航實業(yè)有限公司
• 主分類號: C25F3/30
• 分類號: C25F3/30;C25F7/00
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616
• 代理人: 高志軍

本發(fā)明公開了一種半導體材料的電解拋光裝置，包括底板，所述底板的上端側壁上固定連接有裝置座，所述裝置座的上端設有電解池；本發(fā)明還提出了一種半導體材料的電解拋光方法，包括以下步驟：S1，對多個待拋光半導體材料的陽極均進行電解拋光前的準備，對陽極的表面進行初級手工打磨處理，去除陽極表面殘留的雜質，并對陽極表面使用清水進行清洗。本發(fā)明結構合理，使用方便，且設置有加熱裝置和升降攪拌機構，通過加熱裝置提高電解液的溫度，有利于加快電解拋光的速度，通過升降攪拌機構，既能促使電解液的流動，又能保證拋光區(qū)域的離子擴散和新電解液的補充，從而促進了陽極的電解拋光，提高了電解拋光的效率。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體材料加工技術領域，尤其涉及一種半導體材料的電解拋光方法及裝置。

背景技術

自然界的材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類，其中半導體材料是一類具有半導體性能，即導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內，且可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。

磨削和研磨等磨料處理是生產半導體晶片必要方式，拋光和平面化對生產微電子原件來說是十分重要的，傳統(tǒng)的最常見的拋光方式是機械拋光，然而機械拋光不但費時費力，容易引起厚度、平行度的誤差，而且會導致半導體材料的表面完整性變差，極易發(fā)生碎裂損壞，因此可通過電解拋光來代替機械拋光，電解拋光是指待拋光材料在一定組成的電解溶液中進行特殊的陽極處理，以獲得平滑、光亮表面的精飾加工過程，來提高半導體材料的加工精度，在電解拋光的過程中，一般溫度越高，拋光整平的速度也就越快，且電解拋光時攪拌電解液，能促使電解液的流動，保證最適宜的拋光條件。

現有的半導體材料的電解拋光裝置結構簡單，一般都是設置陽極為要進行拋光的工件，將陽極和陰極通過電解液連通，并通以直流電進行電解拋光，但是無法提高電解液的溫度，且缺乏攪拌電解液的功能，而溫度及攪拌對于電解拋光速度均具有一定的影響，這使得電解拋光的速度緩慢，效率低，為此我們提出了一種半導體材料的電解拋光方法及裝置，用來解決上述問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種半導體材料的電解拋光方法及裝置，其結構合理，使用方便，且設置有加熱裝置和升降攪拌機構，通過加熱裝置提高電解液的溫度，有利于加快電解拋光的速度，通過升降攪拌機構，既能促使電解液的流動，又能保證拋光區(qū)域的離子擴散和新電解液的補充，從而促進了陽極的電解拋光，提高了電解拋光的效率。

為了實現上述目的，本發(fā)明采用了如下技術方案：

一種半導體材料的電解拋光裝置，包括底板，所述底板的上端側壁上固定連接有裝置座，所述裝置座的上端設有電解池，所述電解池上設有開口朝上的電解槽，所述電解池的一側側壁上設有恒流電源，所述電解槽靠近恒流電源一側的內壁上固定連接有陰極，所述陰極為鉑電極，所述電解槽的底部內壁中固定連接有承載墊，所述陰極通過第一導線與恒流電源的負極電連接，所述承載墊的一側側壁上通過第二導線與恒流電源的正極電連接，所述承載墊的上端側壁上等間距設有多個陽極，多個所述陽極均為待拋光半導體材料，所述電解槽內裝盛有電解液，所述電解液浸沒陰極和陽極，所述裝置座內設有加熱裝置，所述底板上設有升降攪拌機構。

優(yōu)選地，所述承載墊的上端側壁上等間距設有多個承載槽，多個所述陽極分別設置在多個承載槽內，多個所述陽極均通過導電膠與承載墊電連接。

優(yōu)選地，所述加熱裝置包括設置在裝置座的側壁中的陶瓷電加熱板，所述裝置座的上端側壁上設有與電解池位置相對應的放置槽，所述電解池的下端位于放置槽內，所述陶瓷電加熱板設置在放置槽的正下方。

優(yōu)選地，所述電解池的一側側壁上固定連接有安裝板，所述恒流電源的下端側壁與安裝板的上端側壁固定連接。