[發明專利]一種超厚吸能涂層的制備方法

有效

• 申請號: 201910548727.6
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN110144562B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 廖斌;歐陽曉平;何衛鋒
• 申請（專利權）人: 北京師范大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超厚吸能涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S01:對基體進行氣體離子源清洗，清洗時進行加熱處理，加熱溫度不低于400℃。同時離子源處理分為兩個階段進行；第一階段0-600V，束流2-5A，處理30min，緊接著1200-1800V，束流0-1A，處理40min；

S02：基體進行高功率脈沖金屬離子清洗，清洗的脈沖功率0-1MW，脈寬0-30ms，金屬束流強度為2-6A，清洗金屬元素為Ti、Cr、Co或Hf，負偏壓500-800V；

S03：通入乙炔和氮氣沉積CrAlNC，離子束流1-2A，乙炔進氣量為0-500sccm，氮氣進氣量為0-1000sccm，乙炔和氮氣為隨時間正弦變化，動態過程中乙炔與氮氣進氣量瞬態值比不高于1：2；

S04：關閉乙炔閥門，高功率脈沖磁控沉積ZrN，氮氣的進氣量為0-500sccm，高功率脈沖功率0-1MW，脈寬0-50ms，金屬束流強度為1-2A，負偏壓100-400V；

S05：關閉氮氣通入乙炔沉積CrAlC，乙炔的進氣量為0-1000sccm，多弧陰極為CrAl，起弧電流40-100A，離子束流1-2A；

S06：循環沉積膜層直至膜層厚度大于20μm。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，S01氣體離子源為陽極層離子源，功率為0-5KW，束流為0-5A，處理尺寸為不小于800mm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，S03在進行沉積CrAlNC時技術為多弧技術，多弧陰極為CrAl，起弧電流40-100A。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，S06工件為勻速公轉,轉速0-5r/min，陰極和工件之間擋板閥與氣體流量計聯動，氮氣開啟時，擋板閥中心位于兩組多弧靶中心，乙炔或乙炔氮氣同時開啟時擋板閥中心位于兩組磁控靶中心。

5.根據權利要求1所述的方法，沉積的膜層結構為CrAlNC—ZrN-CrAlC循環結構，循環膜層單元中ZrN厚度不小于單元總厚度的1/2。