[發明專利]一種隔離放大器裝置在審
| 申請號: | 201910548451.1 | 申請日: | 2019-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN110190837A | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | 管懷軍;呂華平;吳圣帆 | 申請(專利權)人: | 鎮江英創電力電子有限公司 |
| 主分類號: | H03K7/08 | 分類號: | H03K7/08;H01F27/28;H01F27/36;H01F38/20 |
| 代理公司: | 深圳市智科友專利商標事務所 44241 | 代理人: | 周小年 |
| 地址: | 212200 江蘇省鎮江市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 閉環控制電路 放大輸出電路 耦合互感器 調理電路 解調電路 內嵌 電磁隔離電路 隔離放大器 高隔離度 調理 程控放大器 電磁兼容性 抗干擾能力 輸出 初級線圈 次級線圈 積分電路 解調輸出 多量程 高隔離 隔離度 元器件 接高 接線 調制 精密 占用 | ||
1.一種隔離放大器裝置,包括將待測的輸入信號進行調理的調理電路和放大輸出電路,設置在調理電路和放大輸出電路之間的電磁隔離電路以及電源電路;其特征在于:所述的電磁隔離電路,包括PWM閉環控制電路、高隔離度的PCB內嵌耦合互感器、PWM解調電路;所述的待測的輸入信號經調理電路調理后輸出接PWM閉環控制電路,在PWM閉環控制電路調制以后輸出PWM調制信號接高隔離度的PCM內嵌耦合互感器的初級線圈,高隔離度的PCB內嵌耦合互感器的次級線圈接PWM解調電路,PWM解調電路解調輸出接放大輸出電路。
2.根據權利要求1所述的隔離放大器裝置,其特征在于:所述的高隔離度的PCB內嵌耦合互感器設置在多層PCB板內部,從上到下依次是頂層PCB(100)、初級PCB線圈(300)、初級PCB線圈的大面積屏蔽層(500)、次級PCB線圈的大面積屏蔽層(600)、次級PCB線圈(400)、底層PCB(200);在初級PCB線圈(300)和初級PCB線圈的大面積屏蔽層(500)的中心之間連接有第一金屬化過孔(700);在次級PCB線圈(400)和初級PCB線圈的大面積屏蔽層(500)的中心之間連接有第二金屬化過孔(800)。
3.根據權利要求1所述的隔離放大器裝置,其特征在于:所述PWM閉環控制電路,包括PWM閉環調制電路、PWM閉環控制電路電源VCC與VREF精確度調節電路;
所述的PWM閉環調制電路包括方波振蕩電路和三角波電路、積分比較電路、調制信號輸出電路;
所述的方波振蕩電路包括斯密特反相器U2A、斯密特反相器U2D和電阻R4、電容C2;斯密特反相器U2A的輸出端接斯密特反相器U2D的輸入端;電阻R4設置在斯密特反相器U2A的輸入端與輸出端之間,電容C2的一端接斯密特反相器U2A的輸入端,電容C2的另一端接斯密特反相器U2D的輸出端;
所述的三角波電路包括電阻R3和電容C3;所述的方波振蕩電路輸出的方波接電阻R3的一端,電阻R3的另一端通過電容C3接輸入端供電電源參考地GND;電阻R3和電容C3相連的公共端形成三角波的輸出端S2;
所述的積分比較電路包括運算放大器U1、斯密特反相器U2F、電容C1、電阻R1、電阻R2、電容C4、電阻R5;所述的三角波的輸出端S2接斯密特反相器U2F的輸入端,斯密特反相器U2F的輸出端接電阻R5的一端,斯密特反反相器U2F的7腳和14腳分別接PWM閉環控制電路電源參考地VSS-和PWM閉環控制電路電源VSS+;電阻R5的另一端通過電容C4接輸入端供電電源參考地GND;輸入信號VIN經過電阻R1限流后與電阻R5與電容C4相連的公共端相連疊加后接運算放大器的異相端,運算放大器的同相端接輸入端信號地電平VREF;電容C1設置在運算放大器U1的異相端與輸出之間,運算放大器U1的輸出端通過電阻R2接電阻R3與電容C3相連的端;
所述的PWM調制信號輸出電路,包括斯密特反相器U2B和斯密特反相器U2C、電容C5;所述的斯密特反相器U2B的輸入端和斯密特反相器U2C的輸入端相互連接;斯密特反相器U2B的輸出端和斯密特反相器U2C的輸出端相互連接;電阻R2接電阻R3與電容C3相連的公共端分別接斯密特反相器U2B和斯密特反相器U2C的輸入端,斯密特反相器U2B和斯密特反相器U2C的輸出端接電容C5的一端,電容C5的另一端形成PWM閉環調制電路的輸出S4。
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