[發明專利]堆疊式基于薄膜晶體管的嵌入式動態隨機存取存儲器

在審

• 申請號: 201910548386.2
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN110783337A
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: A·A·夏爾馬;J·G·阿爾薩特-維納斯科;F·哈姆扎奧盧;B·塞爾;P-h·王;V·H·勒;J·T·卡瓦列羅斯;T·加尼;U·阿爾斯蘭;T·W·拉喬伊;C-j·古
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 鄔少俊

1.一種集成電路(IC)器件，包括：

在襯底之上的第一層中的第一存儲器單元；以及

在所述襯底之上的第二層中的第二存儲器單元，其中，所述第一層在所述襯底和所述第二層之間，

其中，所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的每者包括薄膜晶體管(TFT)。

2.根據權利要求1所述的IC器件，其中，所述TFT包括溝道層、柵極電極、第一源極/漏極(S/D)電極和第二S/D電極，其中，所述溝道層在所述柵極電極與所述第一S/D電極和所述第二S/D電極之間。

3.根據權利要求2所述的IC器件，其中，所述TFT的所述溝道層包括以下中的一種或多種：氧化錫、氧化鈷、氧化銅、氧化銻、氧化釕、氧化鎢、氧化鋅、氧化鎵、氧化鈦、氧化銦、氮氧化鈦、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎳、氧化鈮、過氧化銅、氧化銦鎵鋅(IGZO)、碲化銦、鉬、聯硒化鉬、聯硒化鎢、二硫化鎢和黑磷。

4.根據權利要求2所述的IC器件，對于所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的每者，還包括

耦合到所述柵極電極的字線，

耦合到所述第一S/D電極的電容器，以及

耦合到所述第二S/D電極的位線。

5.根據權利要求4所述的IC器件，其中，對于所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的每者，所述字線在所述襯底和所述柵極電極之間。

6.根據權利要求4所述的IC器件，其中，對于所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的每者，所述位線比所述溝道層更遠離所述襯底。

7.根據權利要求4所述的IC器件，其中，所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的每者還包括存儲節點，其中：

所述電容器通過使所述電容器的底部電極耦合到所述存儲節點并使所述存儲節點耦合到所述第一S/D電極而耦合到所述第一S/D電極，并且

所述電容器還包括耦合到電容器極板的頂部電極、以及在所述底部電極和所述頂部電極之間的絕緣體。

8.根據權利要求4-7中任一項所述的IC器件，其中，與所述第一存儲器單元的所述TFT的所述柵極電極耦合的字線被耦合到與所述第二存儲器單元的所述TFT的所述柵極電極耦合的字線。

9.根據權利要求4-7中任一項所述的IC器件，其中，與所述第一存儲器單元的所述TFT的所述第二S/D電極耦合的位線和與所述第二存儲器單元的所述TFT的所述第二S/D電極耦合的位線被耦合到復用器。

10.根據權利要求9所述的IC器件，其中，與所述第一存儲器單元的所述TFT的所述柵極電極耦合的字線被耦合到第一字線驅動器，并且與所述第二存儲器單元的所述TFT的所述柵極電極耦合的字線被耦合到第二字線驅動器。

11.根據權利要求4所述的IC器件，其中，與所述第一存儲器單元的所述TFT的所述柵極電極耦合的字線和與所述第二存儲器單元的所述TFT的所述柵極電極耦合的字線被耦合到單個字線驅動器。

12.根據權利要求4-7中任一項所述的IC器件，其中，與所述第一存儲器單元的所述TFT的所述第二S/D電極耦合的位線被耦合到與所述第二存儲器單元的所述TFT的所述第二S/D電極耦合的位線。

13.根據權利要求4-7中任一項所述的IC器件，其中，與所述第一存儲器單元的所述TFT的所述第二S/D電極耦合的位線和與所述第二存儲器單元的所述TFT的所述第二S/D電極耦合的位線被耦合到單個感測放大器。

14.根據權利要求4-7中任一項所述的IC器件，其中，與所述第一存儲器單元的所述TFT的所述柵極電極耦合的字線的一部分處于與所述第二存儲器單元的所述TFT的所述柵極電極耦合的字線的一部分和所述襯底之間。