[發(fā)明專(zhuān)利]太陽(yáng)能電池及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910548291.0
• 申請(qǐng)日: 2019-06-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112133767A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李華;童洪波;張洪超;劉繼宇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 泰州隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0224
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池及其制作方法，其中，太陽(yáng)能電池，包括硅基底，硅基底上沉積有多條細(xì)柵，所述細(xì)柵與所述硅基底歐姆接觸；所述硅基底上設(shè)置有多條主柵；所述主柵與所述細(xì)柵相交且電接觸；所述主柵的至少部分通過(guò)燒結(jié)電極漿料形成。上述方案，通過(guò)高溫金屬化(燒結(jié))和低溫金屬化(沉積)相結(jié)合的方式來(lái)形成細(xì)柵和主柵，克服了采用絲網(wǎng)印刷銀漿所帶來(lái)的成本高，此外，由于細(xì)柵與硅基底歐姆接觸，具有接觸電阻小，電流收集效率高的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般涉及太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽(yáng)能電池及其制作方法。

背景技術(shù)

晶體硅太陽(yáng)電池由于其能量轉(zhuǎn)換效率高，已成為目前市場(chǎng)占有率最高的太陽(yáng)能電池。如何提高晶體硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率的同時(shí)降低其生產(chǎn)成本是業(yè)界面臨的最大難題。如何通過(guò)提供新穎的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)或提供新穎的太陽(yáng)能電池制造工藝，用于提高太陽(yáng)能電池效率，以增強(qiáng)太陽(yáng)能作為替代能源的優(yōu)勢(shì)，是本領(lǐng)域的重要研究方向。

目前大規(guī)模的硅太陽(yáng)電池制造中，通常采用絲網(wǎng)印刷銀漿的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)電池的金屬化制程，但絲網(wǎng)印刷的精度有限，印刷的電極形貌高低起伏，另外絲網(wǎng)印刷制成的電極與硅基底的接觸電阻較大，并且大量采用銀漿使得生產(chǎn)成本高。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種太陽(yáng)能電池及其制作方法用以降低電極與硅基底的接觸電阻，并降低生產(chǎn)成本。

第一方面，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池，包括硅基底，

所述硅基底上沉積有多條細(xì)柵，所述細(xì)柵與所述硅基底歐姆接觸；

所述硅基底上設(shè)置有多條主柵；所述主柵與所述細(xì)柵相交且電接觸；

所述主柵的至少部分通過(guò)燒結(jié)電極漿料形成。

進(jìn)一步地，每條所述主柵包括交替設(shè)置的第一電極體和第二電極體，所述第一電極體通過(guò)燒結(jié)電極漿料形成，所述第二電極體通過(guò)沉積形成。

進(jìn)一步地，所述第一電極體為焊盤(pán)，所述第二電極體為連接所述細(xì)柵的連接?xùn)啪€，所述連接?xùn)啪€的寬度小于等于所述焊盤(pán)的寬度。

進(jìn)一步地，每條所述主柵中所述焊盤(pán)的個(gè)數(shù)為2-20個(gè)。

進(jìn)一步地，所述細(xì)柵包括層疊設(shè)置的兩層以上金屬層。

進(jìn)一步地，所述硅基底的正面形成有正面介電層，所述主柵形成于所述正面介電層上，且所述主柵至少部分燒結(jié)穿透所述正面介電層；

和/或，

所述硅基底的背面形成有背面介電層，所述主柵形成于所述背面介電層上，且所述主柵至少部分燒結(jié)穿透所述背面介電層。

進(jìn)一步地，所述細(xì)柵及所述主柵均沿直線延伸，且所述細(xì)柵垂直于所述主柵。

第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N上述的太陽(yáng)能電池的制作方法，包括以下步驟：

在硅基底上沉積形成多條細(xì)柵；

在硅基底上印刷電極漿料；

對(duì)所述硅基底進(jìn)行熱處理，使所述細(xì)柵與所述硅基底形成歐姆接觸，同時(shí)使所述電極漿料燒結(jié)形成主柵的至少部分；

或，包括如下步驟：

在硅基底上沉積形成多條細(xì)柵；

對(duì)形成有多條細(xì)柵的硅基底進(jìn)行退火，使所述細(xì)柵與所述硅基底形成歐姆接觸；

在硅基底上印刷電極漿料；

對(duì)印刷的電極漿料進(jìn)行燒結(jié)，使所述電極漿料燒結(jié)形成主柵的至少部分。