[發明專利]一種基于薄膜體聲波諧振器的圓偏振光的偏振態探測器

在審

• 申請號: 201910547673.1
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN110289829A
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 金華伏安光電科技有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種基于薄膜體聲波諧振器的圓偏振光的偏振態探測器，包括襯底層，所述襯底層的上方設置有第一電極層，所述第一電極層的上方設置有壓電薄膜層；所述壓電薄膜層上設置第二電極層，所述第二電極層的上方設置有手性結構陣列；該基于薄膜體聲波諧振器的圓偏振光的偏振態探測器，通過在薄膜體聲波諧振器上設置手性結構陣列，手性結構陣列對不同偏振態的圓偏振光吸收不同，這樣會對薄膜體聲波諧振器的諧振波長的改變不同，從而實現圓偏振光的偏振態探測。

技術領域

本發明涉及圓偏振光技術領域，具體涉及一種基于薄膜體聲波諧振器的圓偏振光的偏振態探測器。

背景技術

光探測器的物理效應通常分為光子效應和光熱效應，對應的探測器分別稱為光子型探測器和光熱型探測器。各種光子型探測器的共同特征是采用半導體能帶材料，光子能量對探測材料中光電子的產生起直接作用，故光子型探測器存在截止響應頻率或波長，且光譜響應限于某一波段，因此不同的材料體系決定了探測器具有不同的響應波長范圍，一般難以用于寬譜或多譜段探測。對于光熱型探測器，在吸收光輻射能量后，并不直接引起內部電子狀態的改變，而是把吸收的光能變為晶格的熱運動能量，引起探測元件溫度上升，從而引起探測元件的電學性質或其他物理性質發生變化，故光熱效應與光子能量的大小沒有直接關系，光熱型探測器原則上對頻率沒有選擇性。由于紅外波段特別是中長波紅外以上波段的光熱效應相比紫外和可見光更明顯，故光熱探測器通常用于中長波光學輻射的探測，典型的光熱型探測器包括微測輻射熱計、熱釋電探測器和熱偶探測器等種類。由于溫度升高是熱積累的作用，基于光熱效應的熱探測器一般響應速度較慢，在毫秒量級。

然而，現有的光熱探測器主要是用來探測光的強度，主要的改進方向也體現在如何探測的光的強度方面；無法進行圓偏振光方向的探測。

發明內容

本發明的目的是提供一種是解決現有光熱探測器無法進行圓偏振光方向的探測的問題，該基于薄膜體聲波諧振器的圓偏振光的偏振態探測器，包括襯底層，所述襯底層的上方設置有第一電極層，所述第一電極層的上方設置有壓電薄膜層；所述壓電薄膜層上設置第二電極層，所述第二電極層的上方設置有手性結構陣列。

所述手性結構陣列是由多個L形的手性結構組成。

所述L形的手性結構的第一臂與第二臂的高度不同。

所述手性結構陣列是由多個U形的手性結構組成。

所述U形的手性結構的左臂與右臂的高度不同。

所述壓電薄膜層是由AlN、ZnO、LiNbO3或石英中的任意一種制成。

所述壓電薄膜層是的厚度是100nm～500nm。

所述第一電極層、第二電極層是由金、銀、銅中的任意一種制成。

所述襯底層是由二氧化硅制成。

本發明的有益效果：本發明提供的這種基于薄膜體聲波諧振器的圓偏振光的偏振態探測器，通過在薄膜體聲波諧振器上設置手性結構陣列，手性結構陣列對不同偏振態的圓偏振光吸收不同，這樣會對薄膜體聲波諧振器的諧振波長的改變不同，從而實現圓偏振光的偏振態探測。

以下將結合附圖對本發明做進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是基于薄膜體聲波諧振器的圓偏振光的偏振態探測器結構示意圖。

圖2是L形的手性結構的示意圖。

圖3是U形的手性結構的示意圖。

圖中：1、襯底層；2、第一電極層；3、壓電薄膜層；4、第二電極層；5、手性結構陣列；6、第一臂；7、第二臂；8、左臂；9、右臂。

具體實施方式