[發明專利]Bi2

有效

• 申請號: 201910547344.7
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN110350090B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 於黃忠;陳金雲;黃承穩;巫祖萍;侯春利;王鍵鳴
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 羅嘯秋

1.一種Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于：所述鈣鈦礦太陽能電池包括依次層疊的陰極基底、電子傳輸層、界面修飾層、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層以及陽極層；所述電子傳輸層為SnO₂薄膜，界面修飾層為Bi₂O₂Se，鈣鈦礦吸光層為MAPbI₃；

所述SnO₂薄膜的厚度為40～50nm，Bi₂O₂Se界面修飾層的厚度為20～60nm；

所述陰極基底為ITO，所述鈣鈦礦吸光層的厚度為400～450nm；所述空穴傳輸層包括Spiro-OMeTAD和MoO_x；Spiro-OMeTAD厚度為40～50nm，MoO_x厚度為2～3nm；所述陽極層為銀，陽極層的厚度為80～100nm。

2.權利要求1所述的一種Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于包括如下步驟：將陰極基底經表面處理后依次旋涂制備電子傳輸層、界面修飾層、鈣鈦礦吸光層，然后制備空穴傳輸層以及陽極層，得到Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池。

3.根據權利要求2所述的一種Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于所述陰極基底經表面處理的步驟如下：依次用洗潔精、去離子水、丙酮、無水乙醇、異丙醇各超聲清洗20min，并在80℃真空干燥箱中烘干；最后對清洗烘干的陰極基底進行10min的等離子表面處理。

4.根據權利要求2所述的一種Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于所述旋涂制備電子傳輸層、界面修飾層的步驟如下：

將SnO₂水溶液旋涂在經表面處理后的陰極基底上，隨后進行退火處理，然后在退火處理后的SnO₂薄膜上旋涂Bi₂O₂Se的二氯苯溶液。

5.根據權利要求4所述的一種Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述退火處理溫度為150℃，時間為1h；所述旋涂Bi₂O₂Se的二氯苯溶液的轉速為2000～5000rpm。

6.根據權利要求2所述的一種Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于所述旋涂制備鈣鈦礦吸光層的步驟如下：

將PbI₂和MAI溶于DMF和DMSO的混合溶劑中，將所得混合液旋涂至界面修飾層上，退火處理后得到MAPbI₃鈣鈦礦吸光層。

7.根據權利要求6所述的一種Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述PbI₂和MAI的摩爾比為1.35:1.3，所述DMF和DMSO的體積比為4:1；所述退火處理溫度為100℃，時間為20min。

8.根據權利要求2所述的一種Bi₂O₂Se界面修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于所述制備空穴傳輸層的步驟如下：

將Spiro-OMeTAD溶于氯苯，并加入tBP和Li-TFSI，將所得混合溶液旋涂在鈣鈦礦吸光層上，然后在上述Spiro-OMeTAD表面蒸鍍MoO_x，得到空穴傳輸層。