[發明專利]一種氧化镥基質的閃爍晶體制備方法及應用

在審

• 申請號: 201910547121.0
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN110359092A
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 徐軍;趙衡煜;王東海;李東振;王慶國
• 申請（專利權）人: 南京同溧晶體材料研究院有限公司
• 主分類號: C30B29/22
• 分類號: C30B29/22;C30B11/02;C30B13/00;C30B15/08;C09K11/78
• 代理公司: 南京中律知識產權代理事務所(普通合伙) 32341
• 代理人: 沈振濤

1.一種氧化镥基質的閃爍晶體制備方法，其特征在于：制備方法步驟為：

(1)按照化學通式(Lu_1-xM_xYb_y)₂O₃稱取化學計量比的氧化镥，氧化鐿和所需的稀土離子氧化物，混合均勻后，根據需要等靜壓成料餅或料棒，等靜壓壓力為100-220Mpa，放入馬弗爐中燒結，燒結溫度為1500-1780℃，恒溫2-12小時，升降溫速率75-120℃/h；

(2)選用氧化镥陶瓷棒或單晶作為籽晶進行晶體生長，采用合適的晶體生長方法，選擇等高熔點金屬作為坩堝；其中晶體生長溫度為(2450±20)℃，籽晶接種溫度為2480-2530℃，生長氣氛為純Ar氣、(1-10％)H₂+(90-99％)Ar、(0.1-1％)O₂+(99-99.9％)H₂中任一種。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中晶體生長方法為浮區法，冷坩堝法，微下拉法，溫提法，熱交換法，下降法中任一種。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述坩堝的金屬為鎢，錸，鉭中任意一種，或上述金屬材料的合金。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于：晶體生長方法選用浮區法或冷坩堝法時，采用生長氣氛還包括空氣氣氛或含有較高比例氧氣分壓的還原性氣氛。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：還包括步驟(3)，按照化學通式(Lu_1-xM_xYb_y)₂O₃中，氧化鐿Yb₂O₃為氧化镥Lu₂O₃基質超快閃爍體中的發光中心；摻雜0.01-3％含量的氧化物材料來增強光產額，通式中以M為代號，包括但不限于氧化鈣CaO，起始材料為CaCO₃、氧化鎂MgO、氧化鎵Ga₂O₃中氧化物材料任一種。

6.權利要求1-5中任一項制備的氧化镥晶體作為閃爍晶體的應用。