[發(fā)明專利]一種高后向受激布里淵散射增益的微納結(jié)構(gòu)片上光聲波導(dǎo)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910546910.2
• 申請(qǐng)日: 2019-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN110261957B
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路元?jiǎng)?/a>;周朗;馬海霞;劉友文;徐鋒;左敦穩(wěn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京航空航天大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B6/10
• 分類號(hào): G02B6/10;G02B6/122
• 代理公司: 南京鐘山專利代理有限公司 32252
• 代理人: 戴朝榮

1.一種高后向受激布里淵散射增益的微納結(jié)構(gòu)片上光聲波導(dǎo)，其特征在于，所述波導(dǎo)包括由硫化亞砷材料構(gòu)成的波導(dǎo)芯(1)，硅包覆層(2)及二氧化硅襯底(3)；所述波導(dǎo)芯(1)制備在二氧化硅襯底(3)上；所述波導(dǎo)芯(1)的材料為硫化亞砷，剖面為矩形；在波導(dǎo)芯(1)中心從上至下開設(shè)有一矩形通孔(4)，所述矩形通孔(4)中為空氣；所述硅包覆層(2)在外部將波導(dǎo)芯(1)與矩形通孔(4)上、下側(cè)以及波導(dǎo)芯(1)左、右側(cè)對(duì)稱包覆，使波導(dǎo)芯(1)中心形成一充滿空氣的矩形通孔，所述硅包覆層(2)的上、下側(cè)包覆層厚度小于左、右側(cè)包覆層厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導(dǎo)，其特征在于，所述硅包覆層(2)的上、下側(cè)包覆層厚度指硅包覆層(2)在波導(dǎo)芯(1)上、下側(cè)的包覆層厚度，所述硅包覆層的上、下側(cè)包覆層厚度相同；所述硅包覆層(2)的左、右側(cè)包覆層厚度指硅包覆層(2)在波導(dǎo)芯左、右側(cè)的包覆層厚度，所述硅包覆層(2)左、右側(cè)包覆層厚度相同；所述硅包覆層(2)的上、下側(cè)厚度值，為包覆層豎直高度與波導(dǎo)芯(1)豎直高度差值的一半。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導(dǎo)，其特征在于，所述波導(dǎo)芯(1)為矩形，寬度為180nm，高度為340nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導(dǎo)，其特征在于，所述矩形通孔(4)貫穿于波導(dǎo)芯(1)中，所述矩形通孔(4)的剖面寬度為10nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導(dǎo)，其特征在于，所述硅包覆層(2)的寬度為左、右側(cè)包覆層外邊界間距，為450nm；所述硅包覆層(2)的高度為上、下側(cè)包覆層外邊界間距，為365nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導(dǎo)，其特征在于，所述二氧化硅襯底(3)的厚度為300nm，寬度為1000nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導(dǎo)，其特征在于，1550nm波長(zhǎng)的泵浦光與探測(cè)光在該波導(dǎo)中以相反方向傳播。