[發明專利]基于基片集成波導SIW的背腔縫隙圓極化毫米波天線在審
| 申請號: | 201910544150.1 | 申請日: | 2019-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN110265787A | 公開(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發明(設計)人: | 洪濤;楊博光;趙哲民;劉英;姜文;龔書喜 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H01Q13/18 | 分類號: | H01Q13/18;H01Q1/50;H01Q1/38 |
| 代理公司: | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人: | 楊春崗;陳宏社 |
| 地址: | 710071 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬貼片 饋電層 蝕刻 矩形介質板 金屬通孔 分層 基片集成波導 矩形耦合縫隙 正方形諧振腔 毫米波天線 耦合縫隙 輻射層 功分器 圓極化 背腔 探針 天線 傳輸特性 工作頻帶 矩形縫隙 饋電結構 饋電網絡 低剖面 上表面 貫穿 通孔 帶寬 | ||
一種基于基片集成波導SIW的背腔縫隙圓極化毫米波天線,該天線包括輻射層、功分層和饋電層;輻射層由SIW正方形諧振腔、第一金屬貼片和第一矩形介質板組成;功分層由功分器、第二金屬貼片和第二矩形介質板組成;饋電層由SIW結構、第三金屬貼片、第三矩形介質板和第四金屬貼片組成;SIW正方形諧振腔設有第一金屬通孔,上表面蝕刻矩形縫隙,中心貫穿有通孔;功分器由第二金屬通孔和探針組成,中心位置蝕刻功分層矩形耦合縫隙,周圍有圓形耦合縫隙,探針貫穿每個圓形耦合縫隙;SIW結構蝕刻有饋電層矩形耦合縫隙和饋電層金屬通孔;本發明天線的饋電網絡傳輸特性良好,工作頻帶內的增益強、帶寬寬,具有饋電結構簡單、低剖面和結構緊湊的優點。
技術領域
本發明屬于天線技術領域,具體涉及背腔縫隙天線領域的一種基于基片集成波導SIW(Substrate Integrated Waveguide)的背腔縫隙圓極化毫米波天線,可用于毫米波無線通信系統。
背景技術
隨著移動互聯網和物聯網的快速發展,傳統的移動通信系統已經越來越無法滿足人們的需求,5G移動通信系統的研發被提上的日程。5G的提出促進了許多新技術的誕生,其中毫米波技術是眾多5G技術中最有效和最富創新的技術。傳統小于3GHz的移動通信頻率日趨擁擠不堪,而毫米波頻段的資源卻遠遠還沒有被開發。同時用于毫米波頻段的設備具有重量輕和體積小的優點,推動著毫米波系統向著小型化和模塊化的方向發展。
傳統的移動通信天線多為平面印刷天線,但隨著頻率的不斷升高,傳統的微帶等平面傳輸線易產生干擾諧波,其產生的能量損耗和激勵出的表面波嚴重的降低了天線的輻射效率,所以達不到毫米波的通信需求。基片集成波導和金屬波導具有相類似的低損耗特性,同時還具有低剖面的優勢,所以基片集成波導結構被大量運用在毫米波天線的設計中。
在傳統的通信中,“多徑效應”是無法回避且客觀存在的問題,其會導致嚴重的信號衰減。同時毫米波的波長短,繞射能力非常弱,多徑分量尤其多,所以相對而言“多徑效應”的影響更為顯著。因此,圓極化天線能夠有效的減小“多徑效應”造成的衰弱,且圓極化天線不會存在極化失配的問題,所以對圓極化毫米波天線研究是存在必要性的。
例如,電子科技大學在其申請的專利中“寬帶圓極化平板陣列天線”(申請號:201510268062.5,專利授權號:CN104953256 B)提出了名稱為寬帶圓極化平板陣列天線。該天線采用了一種相位延遲線對十字縫隙進行饋電的結構,激勵其四個寄生貼片,形成了圓極化輻射。該天線具有低成本和較寬的軸比帶寬的優點,但是由于其利用微帶線結構進行饋電,造成了比較大的能量損耗,從而導致輻射效率和增益的降低,限制了天線的應用。
例如,華南理工大學在其申請的專利中“一種高增益毫米波圓極化陣列天線”(申請號:201710950522.1,專利公布號:CN107749520 A)提出了名稱為一種高增益毫米波圓極化陣列天線。該陣列天線由輻射體陣列、饋電網絡和饋電金屬探針構成,輻射單元包括主輻射環、寄生輻射環和匹配圓環組成,最終實現了圓極化輻射。該天線基于基片集成波導結構,具有較低的損耗和較高的輻射效率和增益,但是該圓極化天線的軸比帶寬較窄,不適用于寬帶的毫米波應用場景。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的不足,提出一種基于SIW技術的背腔縫隙圓極化毫米波天線,用于解決現有毫米波圓極化天線軸比帶寬窄、天線增益和效率低的技術問題。
為實現上述目的,本發明采取的技術方案為:
一種基于基片集成波導SIW的背腔縫隙圓極化毫米波天線,其結構自上而下包括輻射層、功分層和饋電層,所述輻射層由四個順序旋轉排布的SIW正方形諧振腔、第一金屬貼片和第一矩形介質板組成;所述功分層由功分器、第二金屬貼片和第二矩形介質板組成;所述饋電層由矩形SIW結構、第三金屬貼片、第三矩形介質板和第四金屬貼片組成;所述第一金屬貼片、第二金屬貼片分別覆在第一矩形介質板和第二矩形介質板的上表面;所述第三金屬貼片、第四金屬貼片分別覆在第三矩形介質板的上表面和下表面;
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