[發明專利]一種碳化硅籽晶的粘貼方法在審
| 申請號： | 201910542933.6 | 申請日： | 2019-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN110205682A | 公開（公告）日： | 2019-09-06 |
| 發明（設計）人： | 肖凌;吳會旺;趙麗霞;陳秉克 | 申請（專利權）人： | 河北普興電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B35/00 | 分類號： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 陳曉彥 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅籽晶 高溫膠 粘貼 薄膜 籽晶背面 保溫 孔洞 施加 惰性氣體氣氛 薄膜貼合 石墨平板 真空條件 膠水 壓力升 涂膠 粘接 籽晶 收縮 升華 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅籽晶的粘貼方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，將高溫膠薄膜鋪在石墨平板上；
S2，將碳化硅籽晶置于S1的高溫膠薄膜上，并對碳化硅籽晶進行加壓使其與高溫膠薄膜貼合，對碳化硅籽晶施加的壓力為2～4kgf/cm2；
S3，在真空條件下，將S2中碳化硅籽晶及高溫膠薄膜升溫至250～350℃，保溫2.5～3.5h，然后將對碳化硅籽晶施加的壓力升至10～50kgf/cm2，繼續升溫至700～800℃，保溫2.5～3.5h，然后在惰性氣體氣氛下，繼續升溫至1000～1200℃；以及
S4，降溫，完成籽晶粘貼。
2.根據權利要求1所述的碳化硅籽晶的粘貼方法，其特征在于，所述高溫膠薄膜的材質為聚酰亞胺、PET、酚醛樹脂或糠醛樹脂。
3.根據權利要求1所述的碳化硅籽晶的粘貼方法，其特征在于，所述高溫膠薄膜的厚度為5～40um。
4.根據權利要求1所述的碳化硅籽晶的粘貼方法，其特征在于，所述碳化硅為4H、6H、15R或3C晶型碳化硅。
5.根據權利要求1所述的碳化硅籽晶的粘貼方法，其特征在于，S2及S3中通過機械裝置對碳化硅籽晶進行加壓。
6.根據權利要求1所述的碳化硅籽晶的粘貼方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。
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