[發明專利]一種吸波單元結構

在審

• 申請號: 201910542837.1
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN112117550A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 溫維佳;李肅成;胡傳燈
• 申請（專利權）人: 深圳市環波科技有限責任公司
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 張宏杰

1.一種吸波單元結構，其特征在于，包括：第一介質層及印制于所述第一介質層第一表面的第一透明導體結構層；第二介質層及印制于所述第二介質層第一表面的第二透明導體結構層；第三介質層及印制于所述第三介質層第一表面的透明導體反射層；所述第一介質層與所述第二透明導體結構層之間具有第一間距；所述第二介質層與第三介質層之間具有第二間距；所述第一間距的大小和所述第二間距的大小用于調節吸波單元結構的吸收頻帶；所述第一介質層、所述第二介質層和所述第三介質層均由聚對笨二甲酸乙二脂PET材料制成。

2.根據權利要求1所述的吸波單元結構，其特征在于，所述第一間距的取值范圍為2.34mm-5.34mm；所述第二間距的取值范圍為1.46mm-3.46mm。

3.根據權利要求1所述的吸波單元結構，其特征在于，所述第一透明導體結構層包括第一子結構和第二子結構；所述第一子結構包括中心部，及與所述中心部一體成型且向所述透明導體結構層邊緣方向延伸的M個第一延伸部和N個第二延伸部，所述M和所述N均為偶數；在所述M個第一延伸部中的任兩個相鄰的第一延伸部之間具有至少一個所述第二延伸部，每個所述第二延伸部包括至少一個第一條形結構；所述第二子結構包括外框部，及與所述外框部一體成型且向所述中心部方向延伸的第三延伸部，所述第三延伸部包括至少一個第二條形結構；所述第一條形結構和所述第二條形結構間隔排列，相鄰的所述第一條形結構和所述第二條形結構相互平行且之間具有第三間距。

4.根據權利要求3所述的吸波單元結構，其特征在于，所述第一延伸部為周期性的彎折帶狀結構；彎折帶的寬度的取值范圍為0.2mm-0.6mm；所述外框部為正方形環狀結構，所述正方形環狀結構的環寬度的取值范圍為1.0mm-1.2mm。

5.根據權利要求3所述的吸波單元結構，其特征在于，所述中心部為具有環形開槽的正方形導體膜結構，所述環形開槽與所述正方形導體膜結構的幾何中心相同。

6.根據權利要求1所述的吸波單元結構，其特征在于，所述第一透明導體結構層、第二透明導體結構層和所述透明導體反射層均由透明導體材料制成，所述透明導體材料為氧化銦鋅IZO材料或氧化煙錫ITO。

7.根據權利要求1所述的吸波單元結構，其特征在于，所述吸波單元為方體結構，所述第一介質層的邊長大于所述透明導體結構層的邊長；所述第一介質層的邊長與所述透明導體結構層的邊長的差值的取值范圍為1.6mm-1.8mm；所述第一介質層的邊長的取值范圍為18mm-22mm。

8.根據權利要求1所述的吸波單元結構，其特征在于，所述第二透明導體結構層為正方形環狀結構，所述正方形環狀結構的環寬度的取值范圍為0.5mm-1.5mm。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的吸波單元結構，其特征在于，所述第一透明導體結構層的方阻值的取值范圍為30Ω-100Ω；所述第二透明導體結構層的方阻值的取值范圍為35Ω-1200Ω。

10.根據權利要求1-8中任一項所述的吸波單元結構，其特征在于，所述吸波單元結構為方體結構，所述第二介質層的邊長與所述第二透明導體結構層的邊長的差值的取值范圍為0.5mm-2.5mm。