[發明專利]一種低溫等離子體催化氧化VOCs的方法在審
| 申請號： | 201910541607.3 | 申請日： | 2019-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN110339707A | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | 陳秉輝;江萍;鄭進保;喬桂龍;葉松壽;李想;張諾偉 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | B01D53/86 | 分類號： | B01D53/86;B01D53/72 |
| 代理公司： | 北京彭麗芳知識產權代理有限公司 11407 | 代理人： | 彭麗芳 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫等離子體 催化氧化 基催化劑 活性物質轉化 等離子體區 熱催化 降解 臭氧 催化 介質阻擋放電反應器 協同 活性中間產物 環境友好型 高能電子 活化分子 低能耗 二段式 高空速 可降解 一段式 自由基 電離 活化 熱阻 二氧化碳 爆炸 轉化 | ||
1.一種低溫等離子體催化氧化VOCs的方法，其特征在于具體步驟如下：將VOCs氣體依次通過第一段催化劑、第二段催化劑和第三段催化劑將VOCs氣體催化氧化生成二氧化碳和水；其中，所述第一段催化劑為介質阻擋放電反應器與Zr基催化劑組成的等離子體區，所述第二段催化劑為Mn基催化劑組成的活性物質轉化區，所述第三段催化劑為Fe基催化劑與加熱電阻組成的臭氧協同熱催化區。
2.根據權利要求1所述的低溫等離子體催化氧化VOCs的方法，其特征在于：所述等離子體區的放電區域下沿與第二段催化劑之間的距離為0.1～20cm。
3.根據權利要求1所述的低溫等離子體催化氧化VOCs的方法，其特征在于：所述第一段催化劑的反應溫度和反應空速分別為10～80℃和10000～100 0000ml/g/h，所述第二段催化劑的反應溫度和反應空速分別為10～80℃和10000～1000000ml/g/h，所述第三段催化劑的反應溫度和反應空速分別為100～300℃和10000～10 0000ml/g/h。
4.根據權利要求1所述的低溫等離子體催化氧化VOCs的方法，其特征在于：所述介質阻擋放電裝置的放電電壓為220V-380V，放電電流為0.5-10A。
5.根據權利要求1所述的低溫等離子體催化氧化VOCs的方法，其特征在于：所述Zr基催化劑由ZrO2和載體組成；其中，ZrO2的含量為10％～100％，余量為載體；所述載體選自Al2O3、13X分子篩、4A分子篩、5A分子篩、β分子篩、ZSM-5分子篩或AIPO-5分子篩中的一種。
6.根據權利要求1所述的低溫等離子體催化氧化VOCs的方法，其特征在于：所述Mn基催化劑可表示為MnO2-MOX，其中，M代表與Ce、Co或Cu中的一種，1≤x≤2；MnO2與MOX的摩爾比為0.8～18:1。
7.根據權利要求1所述的低溫等離子體催化氧化VOCs的方法，其特征在于：所述由Fe基催化劑可表示為Fe2O3-MOX，其中，M代表與Ce、Co或Cu中的一種，1≤x≤2；Fe2O3與MOX的摩爾比為1～20:1。
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