[發明專利]一種固相制備氧化錫-硫化錫異質結納米花的方法

在審

• 申請號: 201910540111.4
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN110255605A
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 陳鳳娟;趙文博;賈殿贈;金學坤
• 申請（專利權）人: 新疆大學
• 主分類號: C01G19/02
• 分類號: C01G19/02;C01G19/00;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種固相制備氧化錫?硫化錫異質結納米花的方法，屬于納米材料制備領域。其制備步驟包括：（1）將四氯化錫置于瑪瑙研缽中，（2）研細后加入十二烷基硫酸鈉，（3）研磨后加入硫代乙酰胺，（4）研磨后加入氫氧化鈉，再充分研磨并放置完成固相反應，用去離子水和無水乙醇洗滌，抽濾，在干燥箱中60度干燥2小時制得氧化錫?硫化錫異質結納米花。本發明制備氧化錫?硫化錫異質結納米花的固相化學方法具有操作簡單、不使用溶劑、高產率、成本低、合成工藝簡單等特點，保證了產物較高的產率；且本發明利用了十二烷基硫酸鈉表面活性劑的特性，使得產物具有較好的分散性，同時增強了氧化錫和硫化錫之間的相互作用，因而使得所制備的氧化錫?硫化錫異質結納米花具有大的比表面積和高的反應活性，將在光電器件、光催化等領域具有潛在的應用前景。

技術領域

本發明涉及一種固相制備氧化錫-硫化錫異質結納米花的方法，屬于納米材料制備領域。

背景技術

近年來，納米材料由于其本身所具有的獨特的物理化學特性而受到了科研工作者的廣泛關注。硫化錫作為一種十分重要的半導體納米材料，因其具有特異的光、電、熱、磁等性質，而在半導體發光器件、非線性光學材料、光催化等領域表現出巨大的應用前景。然而，其光生電子和空穴復合較快，因而需要對其進行改性研究。

利用氧化錫和硫化錫的能帶結構，將其復合，可有效提高硫化錫的催化活性。三維納米花與納米粉體顯著不同，不僅具有小尺寸效應、表面效應、量子尺寸效應等特殊性質，又存在由納米結構組合引起的新的量子耦合效應和協同效應等，顯示出優異的光學、電學性能，因而氧化錫-硫化錫異質結納米花將在催化領域具有潛在的應用。

目前，制備硫化錫基復合材料的方法包括水熱法和微波法等，然而這些方法涉及到實驗條件苛刻、能耗高等不足，因而開發一種簡單、高產、環境友好的合成方法仍然十分迫切。低熱固相化學法具有操作簡單、成本低、產量高和環境友好等優點，已經成為合成納米材料的一種有效方法。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種固相制備氧化錫-硫化錫異質結納米花的方法，提高了產物的分散性，同時增強了氧化錫和硫化錫之間的相互作用。

為了實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種固相制備氧化錫-硫化錫異質結納米花的方法，其特征在于：包括以下步驟：（1）將四氯化錫置于瑪瑙研缽中，（2）研細后加入十二烷基硫酸鈉，（3）研磨后加入硫代乙酰胺，（4）研磨后加入氫氧化鈉，再充分研磨并放置完成固相反應，用去離子水和無水乙醇洗滌，抽濾，在干燥箱中60度干燥2小時制得氧化錫-硫化錫異質結納米花。

優選地，步驟（1）中所述的四氯化錫的摩爾質量為0.01 mol。

優選地，步驟（2）中的十二烷基硫酸鈉的摩爾質量為0.005 mol。

優選地，步驟（3）中的硫代乙酰胺的摩爾質量為0.010 mol。

優選地，步驟（4）中的氫氧化鈉的摩爾質量為0.020 mol。

有益效果：本發明制備氧化錫-硫化錫異質結納米花的固相化學方法具有操作簡單、不使用溶劑、高產率、成本低、合成工藝簡單等特點，保證了產物較高的產率；且本發明利用了十二烷基硫酸鈉表面活性劑的特性，使得產物具有較好的分散性，同時增強了氧化錫和硫化錫之間的相互作用，因而使得所制備的氧化錫-硫化錫異質結納米花具有大的比表面積和高的反應活性，將在光電器件、光催化等領域具有潛在的應用前景。

附圖說明

圖1為所制備的氧化錫-硫化錫異質結納米花的透射電鏡圖。

具體實施方式

氧化錫-硫化錫異質結納米花的固相化學合成，按以下步驟進行：